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AlGaN(氮化鋁鎵)—來看看令人矚目的下一代功率電子材料(與功率電子清洗)

發(fā)布日期:2023-04-21 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數(shù):9031

AlGaN—來看看令人矚目的下一代功率電子材料!

鋁鎵氮(AlGaN),也稱為氮化鋁鎵,是由鋁、鎵、氮構(gòu)成的三元化合物,屬于氮化物半導體,是一種重要的寬帶隙半導體材料,此外還具有電子親和勢極低、化學穩(wěn)定性優(yōu)等特點。

SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)作為功率電子器件晶體管的半導體材料的研發(fā)已經(jīng)取得進展,并且已經(jīng)開始實用化。通常由輕元素構(gòu)成的半導體的介電擊穿電阻較高,但是如果將GaN中的一部分Ga替換為較輕的Al并制成AlGaN(氮化鋁鎵),則將獲得具有優(yōu)異的介電擊穿電阻的晶體。因此,具有更高介電擊穿電阻的AlGaN作為下一代功率電子材料被寄予厚望。

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一、AlGaN材料性質(zhì)

化學性質(zhì)方面,AlGaN材料繼承了AlN和GaN優(yōu)秀的化學穩(wěn)定性。在室溫下,不與水、強堿和強酸反應;在高溫下,與堿緩慢反應。優(yōu)秀的化學穩(wěn)定性決定了AlGaN基器件適用于多種極端環(huán)境。

物理性質(zhì)方面,AlGaN材料具有極高的熔點,導熱系數(shù)高。同時,該材料的質(zhì)地堅硬,非常適用于制備高溫高壓等環(huán)境中工作的器件。此外,AlN、GaN和AlGaN在晶格常數(shù)以及導帶價帶位置上有差距,因此在形成異質(zhì)結(jié)時,會產(chǎn)生自發(fā)的極化,并且表現(xiàn)出一定的壓電特性,可以用來制備壓電器件。再者,AlGaN材料還具有較大介電常數(shù),因此也能用來制備高頻高功率器件。

電學性質(zhì)方面,電場強度在一定程度上對于AlGaN的電子遷移率影響較小,該特性使得AlGaN材料可以用來制備微波器件。由于材料真空電離能較高,且化學惰性很強,因此難以實現(xiàn)歐姆接觸,尤其是p型歐姆接觸。目前,主要通過在AlGaN表面額外生長一層p型GaN來實現(xiàn)p型歐姆接觸。

光學性質(zhì)方面,AlGaN是直接帶隙半導體,具有很高的發(fā)光效率。在帶隙寬度方面,通過調(diào)整Al:Ga比例可以實現(xiàn)帶隙在3.39-6.024eV間可調(diào),極大地覆蓋了紫外光區(qū),并且包含了整個日盲區(qū),目前GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)是日盲探測器的首選。此外,AlN的電子親和能只有0.6eV,在某些條件下甚至能為負值,這意味著Al組分較高的AlGaN材料可以制備高效率的發(fā)光器件。目前,光學性質(zhì)方面的優(yōu)勢是AlGaN材料吸引巨大研究熱情的主要原因。

二、AlGaN材料制備

金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)在過去的20年里已經(jīng)發(fā)展成為Ⅲ-Ⅴ族氮化物外延生長的主要技術(shù)。

1967年,Manasevit等研究者發(fā)現(xiàn),金屬有機化合物三甲基鎵(CH3)3Ga和氫化物的氣相混合物,在H2氣氛中在600-700℃溫度下熱解,可以用來生長GaN材料,自此MOCVD進入了研究人員的視野。

在80年代之后,這項技術(shù)有了更快的發(fā)展,采用MOCVD技術(shù)可以在大襯底基片上沉積得到均勻的外延層,尤其在Ⅲ族氮化物生長領域。經(jīng)過一段時間的持續(xù)發(fā)展,九十年代后,MOCVD已經(jīng)成為了GaN、AlGaN等半導體材料及其相關(guān)器件的重要生長方法。

使用MOCVD設備生長AlGaN材料,其基本原理是將Ⅲ族元素金屬有機化合物源和Ⅴ族化合物的氮源,通過載氣進入反應室,并在反應室內(nèi)部充分混合,在反應室的反應分為多個步驟來完成:

首先是Ⅲ族源氣和氮源的裂解反應,TMGa和NH3通過反應生成反應前驅(qū)體和副產(chǎn)物;裂解反應的產(chǎn)物會沉積在底部襯底的表面,同時TMGa和NH3也會在進入反應室后,向襯底上逐步擴散;沉積在襯底上的前驅(qū)體在表面發(fā)生遷移和擴散,與到達襯底的NH3發(fā)生反應,在高溫反應下產(chǎn)生最終產(chǎn)物和副產(chǎn)物;隨后最終未反應的源分子,反應副產(chǎn)物等會在載氣的攜帶下,離開反應室,進入設備后續(xù)的尾氣處理流程。

三、功率電子清洗

目前,大量的功率半導體器件仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗,隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高,原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足功率電子。對此,合明提出新型的功率電子方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案,采用合明科技專利配方,可在清洗功率半導體器件凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜,更含有保護芯片獨特的材料;配方材料親水性強,清洗后易于用水漂洗干凈。

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歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗功率電子。

推薦使用合明科技水基清洗劑,針對電子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經(jīng)驗,對于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況,自主開發(fā)了較為完整的水基系列產(chǎn)品,精細化對應涵蓋從半導體封裝到PCBA組件終端,包括有水基清洗劑和半水基清洗劑,堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在,在同等的清洗力的情況下,合明科技的兼容性較佳,兼容的材料更為廣泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多(測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,離子殘留低、干凈度更好。


Tips:

【閱讀提示】

以上為本公司一些經(jīng)驗的累積,因工藝問題內(nèi)容廣泛,沒有面面俱到,只對常見問題作分析,隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代,新的工藝問題也不斷出現(xiàn),本公司自成立以來不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新,做到與時俱進,熟悉各種生產(chǎn)復雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設備、材料的清洗解決方案支持。

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