功率半導體三大細分行業市場規模及格局介紹

1.功率二極管市場

二極管市場集中度低。二極管是最早出現的功率半導體，第一代二極管距今已經有100多年的歷史。與其他功率半導體相比，二極管的技術壁壘較低，市場上二極管廠商數量眾多。二極管市場相對分散，市場集中度較低。二極管制造已經非常成熟，注重生產成本和質量的控制。我國二極管生產企業大多是IDM模式，對質量控制比較嚴格，加上勞動力成本較低，二極管廠商具有較強的競爭力，國內市場參與者眾多，在2014年就已率先實現了貿易順差。

2.MOSFET市場

MOSFET，屬于電壓控制器件，MOSFET主要特點就是驅動電路簡單，驅動功率低，開關速度快，高頻特性好，最高工作頻率可以達到1MHz以上，適用于開關電源和高頻感應加熱等高頻場合，且安全工作區廣，沒有二次擊穿問題，耐破壞性強。但是MOSFET也因為電流容量小，耐壓低，飽和壓降高，不適用于大功率裝臵。目前 MOSFET主要應用于電壓低1000V，功率從幾瓦到數千瓦的場合，廣泛應用于充電器，適配器，電機控制，PC 電源，通信電源，新能源發電，UPS，充電樁等場合。

大陸廠商MOSFET市占率較低，國產替代空間廣闊。中國產業信息網數據顯示，我國MOSFET市場規模2018年為470.70億元，歐美廠商占據絕大多數市場份額，市場集中度較高：英飛凌在國內市場份額為28.50%，排名第一，安森美以17.10%市場份額位列第二，排名前五的均為老牌歐美日大廠，CR5為65%。安世半導體國內市場份額為3.90%，位列第八，士蘭微以1.90%市場份額位列第十，安世半導體與士蘭微市場份額合計為5.80%，國產替代空間廣闊。中國是全球最大的消費電子生產國，對中低壓 MOSFET 需求較大。

3.IGBT功率器件市場

IGBT，屬于電壓控制器件，是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件。IGBT結合了BJT和MOSFET的優點，既有MOSFET的開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點，又有BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領域較為理想的開關器件，是未來應用發展的主要方向。IGBT從封裝形式分類可以分為IGBT分立器件、IGBT模塊和IPM三大類產品：IGBT分立器件：單芯片封裝，一個 IGBT單管和一個反向并聯二極管組成的器件，電流通常在100A 以下，結構相對簡單，封裝體積較小，但是缺點也很明顯，接線復雜，可靠性低，分布電感較大；IGBT模塊是將多個（兩個及以上）IGBT 芯片和二極管芯片以絕緣方式組裝到DBC基板上，進行模塊化封裝。IPM即智能功率模塊，就是將功率器件和驅動電路、過壓和過流保護電路、溫度監視和超溫保護電路等外圍電路集成在一起生產的一種“組合”型器件。

4.功率半導體器件清洗

功率半導體器件清洗

為應對能源危機和生態環境惡化等問題，世界各國均在大力發展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應用，促進了大功率電力電子變流裝置的廣泛應用。大功率變流裝置的可靠性對這些應用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件功率半導體器件密切相關。

目前，大量的功率半導體器件仍在采用傳統的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環保的管控和對產品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統溶劑清洗已不能滿足功率半導體器件清洗。對此，合明提出新型的功率半導體器件清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗功率半導體器件凹槽內存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護芯片獨特的材料；配方材料親水性強，清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗功率半導體器件模塊。

推薦使用合明科技水基清洗劑，針對電子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經驗，對于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況，自主開發了較為完整的水基系列產品，精細化對應涵蓋從半導體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多（測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。

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