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光刻機(jī)或?qū)⒊蔀闅v史?麻省理工華裔:突破了常溫條件下由二維(2D)材料制造成功的原子晶體管

發(fā)布日期:2023-06-06 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數(shù):4729
眾所周知,光刻機(jī)作為芯片生產(chǎn)過程中的最主要的設(shè)備之一,其重要性不言而喻。

先進(jìn)的制程工藝完全依賴于先進(jìn)的光刻機(jī)設(shè)備,比如現(xiàn)階段臺(tái)積電最先進(jìn)的第二代 3nm 工藝,離不開 EUV 光刻機(jī)。
然而,前不久麻省理工學(xué)院(MIT)華裔研究生朱家迪突破了常溫條件下由二維(2D)材料制造成功的原子晶體管,每個(gè)晶體管只有 3 個(gè)原子的厚度,堆疊起來制成的芯片工藝將輕松突破 1nm。

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目前的半導(dǎo)體芯片都是在晶圓上通過光刻/蝕刻等工藝加工出來的三維立體結(jié)構(gòu),所以堆疊多層晶體管以實(shí)現(xiàn)更密集的集成是非常困難的。

而且,現(xiàn)在先進(jìn)制程工藝的發(fā)展似乎也在 1~3nm 這里出現(xiàn)了瓶頸,所以不少人都認(rèn)為摩爾定律到頭了

但是由超薄 2D 材料制成的半導(dǎo)體晶體管,單個(gè)只有 3 個(gè)原子的厚度,可以大量堆疊起來制造更強(qiáng)大的芯片。

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正因如此,麻省理工學(xué)院的研究人員研發(fā)并展示了一種新技術(shù),可以直接在硅芯片上有效地生成二維過渡金屬二硫化物 (TMD) 材料層,以實(shí)現(xiàn)更密集的集成。

但是,直接將 2D 材料生成到硅 CMOS 晶圓上有一個(gè)問題,就是這個(gè)過程通常需要約 600 攝氏度的高溫,但硅晶體管和電路在加熱到 400 攝氏度以上時(shí)可能會(huì)損壞。

這次麻省理工學(xué)院(MIT)華裔研究生朱家迪等人的研究成果就是,開發(fā)出了一種不會(huì)損壞芯片的低溫生成工藝,可直接將 2D 半導(dǎo)體晶體管集成在標(biāo)準(zhǔn)硅電路之上。

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此外,這位華裔研究生的新技術(shù)還有兩個(gè)優(yōu)勢:擁有更好的工藝+減少生成時(shí)間。

之前研究人員是先在其他地方生成 2D 材料,然后將它們轉(zhuǎn)移到晶圓上,但這種方式通常會(huì)導(dǎo)致缺陷,進(jìn)而影響設(shè)備和電路的性能,而且在轉(zhuǎn)移 2D 材料時(shí)也非常困難。

相比之下,這種新工藝會(huì)直接在整個(gè) 8 英寸晶圓上生成出光滑、高度均勻的材料層。

其次就是能夠顯著減少生成 2D 材料所需的時(shí)間。以前的方法需要超過一天的時(shí)間來生成 2D 材料,新方法則將其縮短到了一小時(shí)內(nèi)。

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“使用二維材料是提高集成電路密度的有效方法。我們正在做的就像建造一座多層建筑。如果你只有一層,這是傳統(tǒng)的情況,它不會(huì)容納很多人。但是隨著樓層的增加,大樓將容納更多的人,從而可以實(shí)現(xiàn)驚人的新事物。” 

朱家迪在論文中這樣解釋,“由于我們正在研究的異質(zhì)集成,我們將硅作為第一層,然后我們可以將多層 2D 材料直接集成在上面。”

隨著 ChatGPT 的興起,帶動(dòng)了人工智能產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,AI 的背后就需要強(qiáng)大的硬件算力支持,也就是芯片。

該技術(shù)不需要光刻機(jī)就可以使芯片輕松突破 1nm 工藝,也能大幅降低半導(dǎo)體芯片的成本,如果現(xiàn)階段的光刻機(jī)技術(shù)無法突破 1nm 工藝的話,那么這種新技術(shù)將從光刻機(jī)手中拿走接力棒,屆時(shí)光刻機(jī)也將走進(jìn)歷史~

“使用二維材料是提高集成電路密度的有效方法。我們正在做的就像建造一座多層建筑。如果你只有一層,這是傳統(tǒng)的情況,它不會(huì)容納很多人。但是隨著樓層的增加,大樓將容納更多的人,從而可以實(shí)現(xiàn)驚人的新事物。” 

朱家迪在論文中這樣解釋,“由于我們正在研究的異質(zhì)集成,我們將硅作為第一層,然后我們可以將多層 2D 材料直接集成在上面。”

隨著 ChatGPT 的興起,帶動(dòng)了人工智能產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,AI 的背后就需要強(qiáng)大的硬件算力支持,也就是芯片。

該技術(shù)不需要光刻機(jī)就可以使芯片輕松突破 1nm 工藝,也能大幅降低半導(dǎo)體芯片的成本,如果現(xiàn)階段的光刻機(jī)技術(shù)無法突破 1nm 工藝的話,那么這種新技術(shù)將從光刻機(jī)手中拿走接力棒,屆時(shí)光刻機(jī)也將走進(jìn)歷史~

合明科技芯片封裝清洗:

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。


Tips:

【閱讀提示】

以上為本公司一些經(jīng)驗(yàn)的累積,因工藝問題內(nèi)容廣泛,沒有面面俱到,只對常見問題作分析,隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代,新的工藝問題也不斷出現(xiàn),本公司自成立以來不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新,做到與時(shí)俱進(jìn),熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。

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