細間距小尺寸焊盤的金絲鍵合工藝概述

金絲鍵合的目的是實現芯片的輸入/輸出端與外界電路或元器件的互聯，球焊鍵合采用熱壓和超聲方式，將提前燒制的空氣自由球焊接到芯片焊盤或基板焊盤上，再通過劈刀的空間運動形成穩定形狀的線弧，最后將金絲焊接到二焊點，完成一根金絲的鍵合過程。球焊鍵合的工藝過程如圖3所示。

通常情況下，球焊鍵合的工藝過程可以分為四個步驟：

1）劈刀下方的打火桿產生瞬時電壓，通過尖端放電將金絲的線尾部分燒成規則的空氣自由球（Free Air Ball，FAB）。

2）劈刀下移接觸到一焊點焊盤，同時給劈刀施加壓力和超聲能量，在壓力和超聲的作用下，FAB與焊盤表面金屬層相互摩擦，破壞掉金屬表面的污染及氧化層，形成原子級別的緊密連接，從而完成一焊點的鍵合。

3）劈刀在鍵合頭的帶動下，按照規劃的軌跡進行運動，在空間中將金絲彎折成一定的角度和形狀，形成線弧，隨后拉伸到第二焊點位置，在超聲和壓力的作用下形成二焊點。

4）形成二焊點后，劈刀在二焊點處進行截尾焊，將金絲截斷。隨后劈刀抬起，線夾閉合，準備第二次燒球。此時，整個引線線弧和鍵合點全部完成。

以上四個步驟均可通過設備參數及工藝參數進行調控，如超聲能量、鍵合壓力等，各參數相互關聯，共同決定了最終的鍵合結果。

在“打火桿燒球”階段，金絲根部由于受到尖端放電而產生局部高溫，金絲的尖端變為熔融狀態，在重力和表面張力的共同作用下，形成空氣自由球。空氣自由球通常為標準的圓球形。而在“鍵合—焊點”階段，空氣自由球由于在劈刀的作用下被壓扁，尺寸會再次變大，一焊點的尺寸約為金絲直徑的2.5~3.0倍，對于25 μm金絲而言，焊點尺寸約為70~80 μm，為保證鍵合的可靠性和穩定性，焊盤尺寸的設計通常大于100 μm。而隨著芯片功能及運算能力的集成，焊盤的設計尺寸逐漸減小，本文涉及的芯片焊盤的尺寸僅為55 μm，而相鄰焊盤的間距僅為15 μm，如圖2所示。當芯片焊盤尺寸和焊盤間距減小時，金絲球焊鍵合可能會產生以下鍵合缺陷：

1）由于芯片焊盤尺寸只有55 μm，若采用25 μm金絲，則要求FAB尺寸不能超過55 μm，否則焊點會超出芯片焊盤，造成短路。

FAB尺寸是由打火電流、打火電壓、打火時間等工藝參數決定的，當打火參數過小時，金絲獲得的熱量偏低，融化量較少，液態球的重力作用不明顯，形成的金球多呈偏置狀態，導致焊點位置偏移，增加了短路風險。由于燒球參數過小導致的偏頭球，如圖4所示。

2）劈刀本身具有一定的寬度，普通劈刀底部寬度 T =120 μm，假設焊球高度為0，焊盤尺寸為 X =55 μm，則相鄰焊盤應設計最小間距為( T -X )/2=32.5 μm，以保證劈刀不會壓到相鄰焊盤上的焊點。然而對于本文涉及芯片，相鄰焊盤的距離為15 μm，過小的焊盤間距會導致鍵合過程中劈刀壓到已經鍵合的金絲，從而使金絲受損（如圖5所示）。

本文針對細間距小尺寸焊盤金絲鍵合，通過優化關鍵設備參數和工藝參數，完成了對細間距小尺寸焊盤金絲鍵合的高精度、高可靠性自動球焊鍵合試驗。試驗采用自動球焊鍵合機，試驗金絲純度高于99.99%。

芯片焊后焊盤清洗

芯片焊后焊盤清洗：合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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