封裝又區(qū)分為傳統(tǒng)封裝、晶圓級(jí)封裝，其中傳統(tǒng)封裝包括引線框架（Leadframe）、基板封裝（Substrate），晶圓級(jí)封裝包括晶圓級(jí)芯片封裝（WLCSP）、重布線（RDL）、倒片（Flip Chip）、硅通孔（TSV）。

1. 金屬引線比凸點(diǎn)長(zhǎng)，且線徑小，因此傳輸電信號(hào)速率慢；
2. 金屬引線高阻抗，容易導(dǎo)致信號(hào)失真；
3. 焊頸結(jié)合強(qiáng)度弱，對(duì)于保護(hù)性的要求更高。

1.  薄膜厚度和均勻性：必須仔細(xì)控制芯片內(nèi)、整個(gè)晶圓以及晶圓與晶圓之間形成最終預(yù)粘合層的電介質(zhì)膜厚度；
2. 覆蓋對(duì)準(zhǔn)：為了成功地以非常小的間距（目前約為1-10μm）粘合表面，需要嚴(yán)格控制接合焊盤(pán)對(duì)準(zhǔn)，以確保要接合的銅焊盤(pán)完美對(duì)齊，從而推動(dòng)對(duì)覆蓋計(jì)量精度的需求不斷增加和芯片焊接控制。
3. 缺陷率：混合鍵合中的直接電介質(zhì)對(duì)電介質(zhì)鍵合和銅對(duì)銅鍵合需要更清潔的表面，不含顆粒和殘留物，以最大限度地減少界面處的空洞。與傳統(tǒng)的焊料Bump接口相比，這推動(dòng)了等離子切割等優(yōu)化工藝的采用，以及顯著更高的檢測(cè)靈敏度和嚴(yán)格的缺陷減少工作。
4. 輪廓和粗糙度：成功的鍵合需要將表面輪廓和粗糙度控制在納米級(jí)，需要更精確的計(jì)量技術(shù)來(lái)幫助開(kāi)發(fā)和控制 HVM 環(huán)境中預(yù)鍵合表面的制備。在鍵合之前，銅焊盤(pán)必須具有特定的碟形輪廓。
5. 形狀和弓形：W2W 和 D2W 混合鍵合對(duì)晶圓形狀和弓形都很敏感，因此對(duì)晶圓級(jí)和芯片級(jí)形狀計(jì)量的需求日益增加，以進(jìn)行表征和控制。

芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹(shù)脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹(shù)脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。