在先進(jìn)封裝領(lǐng)域又出現(xiàn)了一個(gè)新的名詞“3.5D封裝”，大家應(yīng)該都聽?wèi)T了2.5D封裝和3D封裝，那么3.5D封裝又有什么新的特點(diǎn)呢?還是僅僅是一個(gè)吸引關(guān)注度的噱頭?

　　首先，我們要了解以下幾個(gè)名詞的確切含義，2.5D，3D，Hybrid Bonding，HBM。

　　2.5D

　　在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，2.5D是特指采用了中介層(interposer)的集成方式，中介層目前多采用硅材料，利用其成熟的工藝和高密度互連的特性。

　　雖然理論上講，中介層中可以有TSV也可以沒有TSV，但在進(jìn)行高密度互聯(lián)時(shí)，TSV幾乎是不可缺少的，中介層中的TSV通常被稱為2.5D TSV。

　　3D

　　和2.5D是通過中介層進(jìn)行高密度互連不同，3D是指芯片通過TSV直接進(jìn)行高密度互連。

　　大家知道，芯片面積不大，上面又密布著密度極高的電路，在芯片上進(jìn)行打孔自然不是容易的事情，通常只有Foundry廠可以做得到，這也是為什么到了先進(jìn)封裝時(shí)代，風(fēng)頭最盛的玩家成了TSMC, Intel, Samsung這些工藝領(lǐng)先的芯片廠商。因?yàn)樽钕冗M(jìn)的工藝掌握在他們手里，在這一點(diǎn)上，傳統(tǒng)的OSAT還是望塵莫及的。

　　Hybrid Bonding

　　Hybrid Bonding混合鍵合技術(shù)，是一種在相互堆疊的芯片之間獲得更密集互連的方法，并可實(shí)現(xiàn)更小的外形尺寸。

　　采用Hybrid Bonding 技術(shù)可以在芯片之間實(shí)現(xiàn)更多的互連，并帶來更低的電容，降低每個(gè)通道的功率。

　　HBM

　　隨著人工智能技術(shù)的發(fā)展和需求，HBM現(xiàn)在越來越火熱。

　　HBM(High-Bandwidth Memory )高帶寬內(nèi)存，主要針對高端顯卡GPU市場。HBM使用了3D TSV和2.5D TSV技術(shù)，通過3D TSV把多塊內(nèi)存芯片堆疊在一起，并使用2.5D TSV技術(shù)把堆疊內(nèi)存芯片和GPU在Interposer上實(shí)現(xiàn)互連。

　　現(xiàn)有的先進(jìn)封裝技術(shù)中，HBM是唯一一種具備3D+2.5D的先進(jìn)封裝技術(shù)。

　　如果HMC被稱為3D封裝，那么比其多了Interposer和2.5D TSV的HBM應(yīng)該被稱為什么呢?

　　一種新的封裝命名需要呼之欲出了!

　　按照以往的命名規(guī)則，2D封裝加上Interposer后就變成了2.5D，那么3D封裝加上Interposer自然就變成了3.5D，既合情合理，又符合了通用的命名法則。

　　圖片來源：SiP與先進(jìn)封裝技術(shù)

　　3.5D

　　什么是3.5D，最簡單的理解就是3D+2.5D，不過，既然有了全新的名稱，必然要帶有新的技術(shù)加持，這個(gè)新技術(shù)是什么呢?

　　就是我們所講述的混合鍵和技術(shù)Hybrid Bonding。

　　目前來說，3.5D就是3D+2.5D，再加上Hybrid Bonding技術(shù)的加持。