相對于發達國家，我國功率半導體行業發展起步相對較晚，尚未出現能與國際巨頭相抗衡的企業。但近年來，為推動功率半導體產業健康快速發展，國家相關部門不斷加大扶持力度，國內功率半導體行業正駛入發展快速道，整個行業正由中低端產品競爭轉向高性能的品質競爭，發展空間廣闊。

其中，第三代功率半導體無疑是最為關注的重點細分領域之一，特別是在能源轉型的巨大需求之下，產業保持高速發展。作為第三代半導體材料的典型代表，碳化硅（SiC）材料被認為是行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。作為產業鏈上的一員，澎芯半導體對SiC的市場增長前景充滿信心，將繼續加大投入，不斷推動技術創新和產品升級，為推動行業的發展貢獻更多力量。

晶揚電子項目總監 鄭義：

當前功率半導體分立器件行業面臨著挑戰和機遇，企業需要靈活應對市場變化，關注技術創新，拓展新興市場，并在供應鏈、成本控制等方面保持穩定和競爭力。

從市場需求來看，行業周期下行通常意味整體經濟狀況較弱，這可能導致消費者和企業對電子產品的需求下降。功率半導體分立器件通常用于電源管理、能源轉換等應用，市場需求可能會受到影響。

鑒于目前供需關系變化、競爭態勢加劇，企業為了整合資源，增強競爭力，將進一步加速產業整合并購的步伐，這將導致市場份額的重新分配，影響行業格局。

另一方面，盡管主流市場面臨沖擊，但可再生能源、電動汽車、工業自動化等新興行業的強力發展，將催生功率半導體分立器件的長期需求。而且，隨著技術的不斷創新，功率半導體器件的性能不斷提升，進一步降低能耗、提高效率，應用范圍不斷擴大，為各行業帶來了更多的創新和發展機遇。

面對龐大的市場空間，本土廠商取得了哪些重要突破？面臨哪些困局？

與此同時，經過近幾年的不斷積累，國內在硅器件的低壓SGT、高壓超結器件、IGBT及IGBT模塊等方面，不管是在技術、產品以及規模化產能上均取得突破性進展。在SiC領域SBD達到國際先進水平，平面MOSFET取得突破并進入量產。

但在IGBT的高端應用方面和溝槽SiC MOSFET方面積累的時間和經驗都不足，需要夯實基礎，使之能滿足整機要求，穩定量產，并不斷推進技術迭代工作。澎芯半導體也在聯合合作單位，加快推進溝槽SiC MOSFET的技術進步。

晶揚電子項目總監 鄭義：

盡管取得了一些重要突破，但與國際領先企業相比，本土企業在一些高端技術領域、產業鏈完整度、知識產權保護、人才培養等方面存在一定差距。面對廣闊的市場前景，國內廠商在技術水平和市場份額的提升上仍有較大的發展空間。

隨著國內企業逐步突破行業高端產品的技術瓶頸，產品的質量、性能、技術標準不斷提升，中國功率半導體器件對進口的依賴將會減弱，國產替代效應將持續顯現。未來，在國家政策支持、產業生態逐漸完善、人才水平逐漸提高的背景下，中國本土企業有望進一步向高端功率器件領域邁進。