Chiplet助力 AI算力芯片持續發展

Chiplet 提升大芯片制造良率，降低生產制造成本

經 Chiplet 架構設計后，不同的 die (芯片裸片) 之間采用先進封裝互聯。Chiplet 指小型模塊化芯片，通過 die-to-die 內部互聯技術將多個模塊芯片與底層基礎芯片封裝在一起形成一個整體的內部芯片。與 SOC 不同，Chiplet 將不同模塊從設計時就按照不同計算或者功能單元進行分解，制作成不同 die 后使用先進封裝技術互聯封裝，不同模塊制造藝可以不同。

 Chiplet 技術相比 SOC技術每個模塊可以采用不同的工藝

Chiplet 相比傳統 SOC 芯片優勢明顯。Chiplet 能利用最合理的工藝滿足數字、射頻、模擬、1/0 等不同模塊的技術要求，把大規模的 SOC 按照功能分解為模塊化的芯粒，在保持較高性能的同時，大幅度降低了設計復雜程度，有效提高了芯片良率、集點度!三低花的設計和制造成本，加速了芯片迭代速度。

Chiplet 提高良率和集成度，隆低成本。加速芯片送代

Chiplet 提升芯片良率

HBM 的應用解決了內存速率瓶頸

HBM(High Bandwidth Memory) 即高帶寬存儲器，其通過使用先進的封裝方法(如TSV硅通孔技術) 垂直堆疊多個 DRAM。在高性能計算應用對內存速率提出了更高的要求的背景下，使用先進封裝工藝的 HBM 很好的解決了傳統 DRAM 的內存速率瓶頸的問題。HBM 內部的DRAM 堆疊屬于 3D 封裝，而HBM與AI 芯片的其他部分合封于Interposer 上屬于2.5D封裝。

HBM解決了內存速率瓶頸的問題

DRAM Core die

堆疊子模塊，提升計算性能

Chiplet 支持多顆計算 die 合封于同一芯片，通過堆疊實現處理能力的提升。AMD 于 2023年6月發布了M1300產品，該芯片擁有 13 個小芯片，共包括9個5nm 的計算核心 (6個GCD+3個CCD)，4個6nm的1/0die 兼Infinity Cache (同時起到中介層的作用，位于計算核心和 interposer 之間)，同時還搭載了累計8顆共計 128GB 的 HBM3 芯片。

AMDM1300副面圖

助力國產半導體廠商突破海外制裁

Chiplet 技術發展潛力大，有望助力國產半導體廠商突破海外科技領域制裁。2020 年美國將中芯國際列入“實體清單”，限制 14nm 及以下制程的擴產，導致國產 14nm 制程處于存量市場無法擴張。Chiplet 技術可部分規避海外限制，向下超越封鎖:1) Chiplet“化整為零”，將單顆芯片裸片面積縮小，使壞點出現時對整體晶圓的影響縮小，即良率提高，因此在國內 14nm 產能為存量的局面下提升了實際芯片產出。2) Chiplet 可僅對核心模塊如 CPU、GPU 采用先進制程，對其他模塊采用成熟制程，有效降低對先進制程的依賴，減少了14nm 晶圓的用量。3) Chiplet 可通過將兩顆 14nm 芯片堆疊互聯，單位面積晶體管數量翻倍，實現超越 14nm 芯片的性能。因此 Chiplet 技術成為中國半導體行業實現彎道超車的逆境突破口之一。

Chiplet 芯片封裝清洗：

合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

合明科技運用自身原創的產品技術，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求，打破國外廠商在行業中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產品。