2022 年，三大內(nèi)存廠商（三星、SK 海力士和美光）均已大量出貨 1 α DRAM。雖然 SK 海力士和三星已經(jīng)采用 EUV 光刻技術(shù)進行 DRAM 制造，但美光最終將從 1 γ 節(jié)點開始使用它 。

在3D NAND業(yè)務(wù)中，所有領(lǐng)先公司都推出了3D NAND技術(shù)，這些技術(shù)依賴于優(yōu)化邏輯電路面積和位置的特定策略，例如CMOS陣列下（CUA）和晶圓到晶圓鍵合解決方案， YMTC 的Xtacking  。如今，所有內(nèi)存 制造商都在進行混合鍵合的研發(fā)，主要的 NAND 供應(yīng)商已將其納入其路線圖：Kioxia 和西部數(shù)據(jù)已宣布將其用于 其 218L 3D NAND 系列，美光于 2022 年與 Adeia 簽訂了許可協(xié)議， SK hynix 宣布混合鍵合將于 2025 年進入量產(chǎn)。混合鍵合尚未在當前 HBM 代中使用，但未來幾年將需要它 繼續(xù)提高內(nèi)存帶寬和功效，并最小化 HBM 堆棧厚度。我們預(yù)測， HBM 制造商將從 HBM3+一代開始采用混合鍵合，每個堆棧具有 16 個 DRAM 芯片。所有主要 DRAM 制造商都在研究單片 3D DRAM，將其作為長期 DRAM 擴展的潛在解決方案，并已納入 主要設(shè)備供應(yīng)商的路線圖中。我們相信 3D DRAM 一定會出現(xiàn)，但不會在未來五年內(nèi)出現(xiàn) 。

過去幾個季度，內(nèi)存市場面臨著過去 15 年來最嚴重的低迷。自 2021 年第三季度以來， DRAM 和 NAND 價格分別下降了 57% 和 55%。最嚴重的下跌始于 2022 年第二季度的最后幾周，當時需求方發(fā)展的完美風(fēng)暴（全球沖突、高通脹、中國新冠疫情等）沖擊了內(nèi)存市場。

2022 年全年結(jié)果如下：DRAM 和 NAND 收入（合計占整個內(nèi)存市場的 96%）分別下降至約 797億美元 (-15% YoY) 和約587億美元 (-12% YoY);。而NOR 閃存同比下降 8% 至32億美元。

減產(chǎn)使供應(yīng)商能夠在 2023 年底前達到市場平衡。然而，迄今為止造成的財務(wù)損失巨大， 供應(yīng)商再次增加投資之前需要比平時更長的恢復(fù)時間。因此，2024 年和 2025 年將出現(xiàn)供應(yīng)不足和價格攀升的情況，收入預(yù)計將飆升：繼 2023 年 DRAM 下降至420億美元（同比 -47%）和 NAND 下降至370億美元（同比 -37%）之后，合計收入將大幅增長。預(yù)計到 2025 年，存儲器收入將增長至超過2000億美元的新紀錄高位。

芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

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