英特爾Foveros互連技術詳細介紹

1. Foveros技術概述

Foveros是英特爾開發的一種先進的封裝技術，它的主要特點是能夠實現芯片的3D堆疊，從而在垂直方向上集成多個功能模塊。這種技術的出現主要是為了解決隨著芯片功能日益復雜，單片式系統級芯片（SoC）的設計和制造難度不斷增加，成本也隨之上升的問題。Foveros技術通過高密度、高帶寬、低功耗的互連，使得采用不同制程工藝制造的多個模組可以組合成一個大型的分離式模塊架構組成的芯片復合體。

2. Foveros技術的工作原理

Foveros技術的工作原理相對復雜，它涉及到芯片的切割、分選、測試、組裝等多個步驟。首先，從晶圓廠收到的內部和外部代工廠的晶圓會被切割成單個芯片。然后，這些芯片會經過分選和Diet測試，以確保只有高質量的芯片才能進入Foveros組裝階段。接下來，這些高質量的芯片會在基板晶圓上進行組裝，形成一個由多個模塊組成的芯片復合體。最后，這個芯片復合體會在BGA基板面上進行封裝組裝。

3. Foveros技術的優勢

Foveros技術的主要優勢在于它能夠實現芯片的3D堆疊，從而在垂直方向上集成多個功能模塊。這種技術可以大大提高芯片的集成度，使得在一個單一的封裝中可以集成更多的功能單元。此外，Foveros技術還可以滿足不同供應商、不同工藝打造的芯粒（Chiplet）的異構集成需求，使得這些不同的芯粒可以更好地協同工作，提高靈活性和性能，降低成本和功耗。

4. Foveros技術的應用

Foveros技術最早被應用于Lakefield處理器，目前已經被廣泛應用于各類產品中，例如PonteVecchio GPU加速器就是使用了Foveros技術。此外，Foveros技術也被應用于Meteor Lake芯片，這款芯片是首款采用Intel 4制程工藝打造的計算模塊，它包含了提供大電容的圖形模塊、使用Foveros 36x間距晶片間互連的SoC模塊以及采用Intel 4制程工藝打造的計算模塊。

5. Foveros技術的發展歷程

Foveros技術的發展歷程可以追溯到2018年，當時英特爾首次公開介紹了這項技術。隨后在2019年，英特爾在Computex展會上展示了采用Foveros技術的Lakefield處理器。到了2020年，英特爾宣布將在未來的Meteor Lake芯片中采用Foveros技術。而在2023年，英特爾在ON技術創新峰會上正式推出了采用Foveros技術的Meteor Lake芯片。

6. Foveros技術的未來展望

Foveros技術的未來展望非常廣闊，英特爾計劃在未來幾年內進一步優化和發展這項技術。例如，英特爾正在開發下一代的Foveros Omni技術，這種技術可以實現垂直層面上大芯片、小芯片組合的互連，并將凸點間距繼續縮小到25微米。此外，英特爾還在開發Foveros Direct技術，這種技術使用銅與銅的混合鍵合，取代會影響數據傳輸速度的焊接，把凸點間距繼續縮小到10微米以下，從而大幅提高芯片互連密度和帶寬，并降低電阻。

先進芯片封裝清洗介紹

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水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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總結

總的來說，Foveros技術是英特爾的一項重要創新，它通過3D堆疊的方式大大提高了芯片的集成度和性能，同時也降低了成本和功耗。隨著這項技術的不斷發展，我們有理由相信它將在未來的芯片設計中發揮越來越重要的作用。