芯片制造流程之芯片封裝工藝
芯片制造流程之芯片封裝工藝
芯片封裝工藝，隨著半導體工業的發展，目前越來越多的新型封裝技術展現，比如立體封裝、覆晶式封裝（Flip-Chip BGA）、堆疊式封裝（Stack Multi-chip package）、芯片級堆疊式封裝（TSV package）、DOB（Die on Board）等，它們的工藝與上述不盡相同，但是原理上沒有差別。
今天小編給大家分享一篇關于芯片封裝制造工藝的幾個步驟，希望能對您有所幫助！
傳統的芯片封裝制造工藝分為以下幾個步驟：
一、減薄（Back Grind）
不同的芯片使用時需要具有不同的厚度，因此需要對芯片進行減薄。一般是應用研磨的方法。研磨的第一步為粗磨。第二步為細磨，目的是消減芯片粗磨中生成的應力破壞層，這一層一般厚度為1-2微米。
二、貼膜（Wafer Mount）
減薄之后，需要在芯片背面貼上配合劃片使用的藍膜，才可以開始劃片。
三、劃片（Wafer Saw）
將芯片在藍膜上切割成顆粒狀，以便于單個取出分開。一般切割刀片可以達到最小的切割寬度為40微米左右。
四、貼片（Die Attach）
將芯片顆粒由劃片后的藍膜上分別取下，用特殊的膠水（一般為導電銀膠）與引線框架（leadframe，支架）貼合在一起，以便于下一個打線鍵合的工藝。
五、銀膠烘焙（Epoxy Curing）
貼片工藝后需要使用高溫將銀膠烤干固化，溫度為175℃，時間為1小時。
六、打線鍵合（Wire Bond）
用金屬引線將芯片顆粒的金屬焊接墊與支架焊接聯通在一起。
七、塑封成型（Mold）
將引線鍵合完成的支架放入塑封模中，用塑封料（高分子，一般為環氧樹脂等）把芯片、金屬引線及支架包裹保護起來，同時達到塑封料外觀成型的目標。
八、塑封后烘焙（Post Mold Curing）
塑封料的轉換固化在模具中完成80%，然后到塑封后烘焙工藝中完成剩余的20%固化工作。此時在芯片塑封成品上要加上金屬重槌，目的是消除塑封成品的蹺曲現象。
九、除渣及電鍍（Deflash and Plating）
將塑封成型后的殘渣去除后，將引線支架電鍍上一層錫（一般為含錫的合金），將來可使用表面貼芯片技術制作電路系統。
十、電鍍后烘焙（Post Plating Baking）
這一步的目的是減少及延緩錫枝晶的產生，因為錫枝晶會造成芯片封裝后成品的引腳短路。
十一、切筋整腳成型（Trim/Form）
塑封完成后，要對整個支架做切筋及整腳成型的動作，使單個IC從整條支架上一個一個完整的分離出來。
以上是關于芯片制造之芯片封裝工藝的相關內容了，希望能對您有所幫助！
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