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先進(jìn)封裝混合鍵合解決方案與先進(jìn)封裝芯片清洗介紹

發(fā)布日期:2023-06-27 發(fā)布者:合明科技 瀏覽次數(shù):3686
混合鍵合可以是晶圓到晶圓(wafer-to-wafer)、裸片到晶圓(die-to-wafer)或裸片到裸片(die-to-die)。其主要優(yōu)勢(shì)在于,它允許 3D 器件堆疊以實(shí)現(xiàn)垂直縮放和比其他芯片堆疊技術(shù)更高的互連密度。它的另一個(gè)特點(diǎn)是細(xì)間距鍵合導(dǎo)致更高的互連密度。這也增加了系統(tǒng)帶寬和功率效率。速度也有所提高,因?yàn)閭鹘y(tǒng)的凸點(diǎn)被消除,而是使用直接的銅對(duì)銅鍵合。這形成了非常緊密的互連,并且由于焊盤(pán)是芯片結(jié)構(gòu)的一部分,因此提高了鍵合強(qiáng)度和可靠性。

當(dāng)電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝時(shí),微凸塊通過(guò)使用裸片上的小銅凸塊作為晶圓級(jí)封裝的一種形式來(lái)提供芯片之間的垂直互連。凸塊的尺寸范圍從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。但是,這就是問(wèn)題所在;縮小超過(guò) 10μm 變得非常具有挑戰(zhàn)性,工程師們正在轉(zhuǎn)向一種新的解決方案來(lái)繼續(xù)縮小尺寸。混合鍵合通過(guò)完全避免使用凸塊為 10 μm 及以下間距提供解決方案,而是使用小型銅對(duì)銅連接來(lái)連接封裝中的裸片。它提供卓越的互連密度,支持類(lèi)似 3D 的封裝和高級(jí)內(nèi)存立方體。

“混合鍵合是一種永久性鍵合,它將介電鍵合 (SiOx) 與嵌入金屬 (Cu) 相結(jié)合以形成互連。它在整個(gè)行業(yè)被稱(chēng)為直接鍵合互連 (DBI) 。混合鍵合擴(kuò)展了在鍵合界面中嵌入金屬焊盤(pán)的融合鍵合,允許晶圓的面對(duì)面連接。”BrewerScience強(qiáng)調(diào)。

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因?yàn)榛旌湘I合通過(guò)緊密間隔的銅焊盤(pán)垂直連接裸片到晶圓(D2W) 或晶圓到晶圓 (W2W)。雖然 W2W 混合鍵合已在圖像傳感領(lǐng)域投入生產(chǎn)多年,但業(yè)界仍大力推動(dòng) D2W 混合鍵合的發(fā)展。這種發(fā)展將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成,它提供了一種強(qiáng)大而靈活的方式來(lái)直接連接不同功能、尺寸和設(shè)計(jì)規(guī)則的芯片。

與其他鍵合技術(shù)相比,混合鍵合具有許多優(yōu)勢(shì),包括:允許高級(jí) 3D 設(shè)備堆疊、最高 I/O實(shí)現(xiàn)10 μm以下的鍵合間距、更高的內(nèi)存密度、擴(kuò)展帶寬、增加功率、提高速度效率、消除顛簸的需要,在沒(méi)有功率和信號(hào)損失的情況下提高性能。

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先進(jìn)封裝芯片助焊劑清洗劑:

半導(dǎo)體芯片封裝過(guò)程中通常會(huì)使用助焊劑和錫膏等作為焊接輔料,這些輔料在焊接過(guò)程或多或少都會(huì)有部分殘留物,還包括制程中沾污的指印、汗液、角質(zhì)和塵埃等污染物。同時(shí),半導(dǎo)體組裝了鋁、銅、鉑、鎳等敏感金屬和油墨字符、電磁碳膜和特殊標(biāo)簽等相當(dāng)脆弱的功能材料。這些敏感金屬和特殊功能材料對(duì)清洗劑的兼容性提出了很高的要求。

合明半水基清洗工藝解決方案,可在清洗芯片封裝基板的焊接殘留物和污垢的同時(shí)去除金屬界面高溫氧化膜,保障下一道工序的金屬界面結(jié)合強(qiáng)度;對(duì)芯片半導(dǎo)體基材、金屬材料擁有優(yōu)良的材料兼容性,清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑W3300!

以上便是芯片封裝基板清洗,封裝基板的主要結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)技術(shù)的介紹,希望可以幫到您!

 


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以上為本公司一些經(jīng)驗(yàn)的累積,因工藝問(wèn)題內(nèi)容廣泛,沒(méi)有面面俱到,只對(duì)常見(jiàn)問(wèn)題作分析,隨著電子產(chǎn)業(yè)的不斷更新?lián)Q代,新的工藝問(wèn)題也不斷出現(xiàn),本公司自成立以來(lái)不斷的追求產(chǎn)品的創(chuàng)新,做到與時(shí)俱進(jìn),熟悉各種生產(chǎn)復(fù)雜工藝,能為各種客戶(hù)提供全方位的工藝、設(shè)備、材料的清洗解決方案支持。

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