功率MOSFET的結構和工作原理與功率半導體器件清洗介紹
一、功率MOSFET的結構和工作原理
1 功率MOSFET的結構
2 功率MOSFET的工作原理
功率MOSFET的基本特性
開通過程：開通延遲時間td(on) —— up前沿時刻到uGS=UT并開始出現(xiàn)iD的時刻間的時間段；
上升時間tr —— uGS從uT上升到MOSFET進入非飽和區(qū)的柵壓UGSP的時間段； iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負載電阻決定。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關，UGS達到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。 開通時間ton —— 開通延遲時間與上升時間之和。 關斷延遲時間td(off) —— up下降到零起，Cin通過Rs和RG放電，uGS按指數(shù)曲線下降到UGSP時，iD開始減小為零的時間段。 下降時間tf —— uGS從UGSP繼續(xù)下降起，iD減小，到uGS。 關斷時間toff —— 關斷延遲時間和下降時間之和。
三、功率器件清洗
為應對能源危機和生態(tài)環(huán)境惡化等問題，世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應用，促進了大功率電力電子變流裝置的廣泛應用。大功率變流裝置的可靠性對這些應用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件功率半導體器件密切相關。
目前，大量的功率半導體器件仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環(huán)保的管控和對產品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足功率半導體器件清洗。對此，合明提出新型的功率半導體器件清洗方案。
合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗功率半導體器件凹槽內存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護芯片獨特的材料；配方材料親水性強，清洗后易于用水漂洗干凈。
歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗功率半導體器件功率器件。
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以上為本公司一些經驗的累積，因工藝問題內容廣泛，沒有面面俱到，只對常見問題作分析，隨著電子產業(yè)的不斷更新?lián)Q代，新的工藝問題也不斷出現(xiàn)，本公司自成立以來不斷的追求產品的創(chuàng)新，做到與時俱進，熟悉各種生產復雜工藝，能為各種客戶提供全方位的工藝、設備、材料的清洗解決方案支持。
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