半導體刻蝕設備,刻蝕機和光刻機的區別

今天小編給大家分享一遍關于半導體刻蝕設備,刻蝕機和光刻機的區別,希望能對大家有所幫助!

刻蝕技術，是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工?？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕，相對應的設備分別為干法刻蝕設備和濕法刻蝕設備，其中干法刻蝕設備絕大部分為等離子體刻蝕。

不同類型刻蝕設備占比

刻蝕設備大致包括了干法刻蝕和濕法刻蝕兩類，干法刻蝕設備在半導體刻蝕設備中占據主流、占比高達95%。硅干法刻蝕即等離子體刻蝕技術，相對于濕法刻蝕，具有更好的各向異性，工藝重復性，且能降低晶圓污染幾率，因此成為了亞微米下制備半導體器件最主要的刻蝕方法。隨著亞微米下制備半導體器件需求的增加，硅干法刻蝕技術也顯得越來越重要。

刻蝕設備品牌有：SPTS、SCREEN.、AMAT、Oxford、北方華創、Lam Research、WONIK IPS、Tokyo Electron Limited、中微半導體、卡爾蔡司等。其中，各品牌比較受歡迎的產品型號有：

牛津儀器PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統

PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統為得到更為精湛的刻蝕效果提供了智能解決方案，在行業中能保持競爭優勢。同時，這款儀器具有高效的刻蝕速率、低購置成本、專為腐蝕性的化學成分而設計、出色的刻蝕均勻性、適用于藍寶石的靜電壓盤技術、藍寶石和硅上的GaN、高導通抽氣系統、可與其它PlasmaPro系統集成等優點。

SPTS深硅刻蝕設備

SPTS作為世界頂尖的深硅刻蝕和犧牲層刻蝕設備的供應商，SPTS能夠提供一系列的解決方案來滿足客戶的生產和開發要求。通過一系列的技術的開發，SPTS能為客戶提供一系列的先進的工藝，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圓上的高端封裝（3D封裝和芯片級封裝）。這款深硅刻蝕設備的主要應用包括: MEMS，先進封裝（TSV）,功率器件等等。

等離子刻蝕機

經濟型等離子刻蝕設備EtchLab 200具備 低成本效益高的特點，并且支持揭蓋直接 放置樣片。EtchLab 200允許通過載片器，實現多片工藝樣品的快速裝載，也可以直接快速地把樣品裝載在電極上。RIE等離子體刻蝕設備具備占地面積小， 模塊化和靈活性等設計特點。

光刻機和蝕刻機是完全不同的兩種設備，不論從功能還是結構上來說都是天差地別，光刻機是整個芯片制造過程中最為核心的設備，芯片的制程是由光刻機決定。具體區別如下：

1、工作原理

如果將光刻機和刻蝕機做一個比喻的話，刻蝕機像一個雕工，而光刻機像一個畫工，其中畫要比雕難得多?？梢哉f兩者一個是設計者，一個是執行者，整個芯片生產過程中，需要重復使用兩種設備，直至將完整的電路圖蝕刻到硅晶圓上為止。光刻機投影在硅片上一張精細的電路圖(就像照相機讓膠卷感光)，刻蝕機按這張圖去刻線(就像刻印章一樣，腐蝕和去除不需要的部分)。

2、結構：光刻機的最主要的核心技術就是光源和光路，其光源和光路的主要組成部分有四個，光源、曝光、檢測、和其他高精密機械組成。對比之下，蝕刻機的結構組成就要簡單很多，主要是等離子體射頻源、反應腔室和真空氣路等組成。

3、售價：ASML的EUV光刻機單臺售價很高，蝕刻機的售價要低很多了。

4、工藝：刻蝕機是將硅片上多余的部分腐蝕掉,光刻機是將圖形刻到硅片上。

5、難度：光刻機的難度和精度大于刻蝕機。

以上是關于半導體刻蝕設備,刻蝕機和光刻機區別的相關內容，希望能您你有所幫助！

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