先進封裝是超越摩爾定律的關鍵賽道，先進封裝市場前途無量

后摩爾時代，芯片制造面臨物理極限與經濟效益邊際提升的雙重挑戰，“摩爾定律”日趨放緩，業內轉而關注系統級芯片集成，通過先進封裝技術來滿足系統微型化、多功能化，成為集成電路產業發展的新趨，“Chiplet”技術面市后，封裝技術愈發復雜，IC設計和封裝設計都面臨新的挑戰。

與其他封裝平臺相比，高端性能封裝的單位數量很小，但由于其復雜性導致平均售價較高，因此它產生的收入比例更高。預計到 2027 年收入將超過145億美元，高于 2022 年的 26億美元，這就意味著其在2022到2027年間的CAGR為41%。

這種健康增長歸因于包括云計算、網絡、人工智能、自動駕駛、個人計算和游戲在內的高性能計算終端系統的增加。這些應用都需要用更復雜的節點生產更大、更復雜的芯片，這些節點會隨著成本的增加而擴展。這些趨勢促使半導體行業制定具有高端封裝選項的系統級擴展策略，而不僅僅是擴展 FE 高級節點。

通過將大型單片 SoC 裸片拆分成更小的芯片并僅縮放最關鍵的電路組件，小芯片以及異構集成是降低縮放成本的一種選擇。這只能通過使用具有高連接密度、高帶寬和良好功率效率的 2.5D 和 3D 集成技術來實現。因此，由于研發和生產方面的重大進步，微凸塊、硅通孔 (TSV)、銅柱和混合鍵合正在推動高端性能應用中的 IO 密度和功能集成達到新高度。

3D SoC（包括die-to-wafer和die-to-die混合封裝）則被看作是10μm以下pitch技術的下一個突破點。作為前端封裝技術，這使得高端系統級性能與3D DRAM的更密集的3D IC堆疊、異構集成封裝和封裝分區SoC die成為可能。領先的供應商，尤其是臺積電、三星和英特爾，都以此為目標，提供或計劃提供尖端的混合鍵合解決方案。這也許是半導體和封裝世界之間的真正接觸點。

先進封裝正在向前端靠攏。證據在于代工廠和 IDM，因為它們正在成為市場上最先進的2.5D 和 3D 封裝解決方案領導者。OSAT 正努力順應這一趨勢，提供創新的先進封裝解決方案，以幫助解決摩爾定律放緩帶來的前端挑戰，但他們要打入混合鍵合市場將是極其困難的，因為他們缺乏前端能力和必要的資源。而在“新技術+新方向”領域，光大證券則表示，先進封裝是超越摩爾定律的關鍵賽道，Chiplet有望成為先進制程國產替代的突破口之一。隨著Chiplet小芯片技術的發展以及國產化替代進程的加速，Chiplet為國產替代開辟了新思路。

當然，我們也必須承認，沒有事情是百分百的。

先進封裝產品清洗劑：

先進封裝產品芯片焊后封裝前，基板載板焊盤上的污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

針對先進封裝產品芯片焊后封裝前，基板載板焊盤、電子制程精密焊后清洗的不同要求，合明科技在水基清洗方面有比較豐富的經驗，對于有著低表面張力、低離子殘留、配合不同清洗工藝使用的情況，自主開發了較為完整的水基系列產品，精細化對應涵蓋從半導體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛；在同等的兼容性下，合明科技的清洗劑清洗的錫膏種類更多（測試過的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌；測試過的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分），清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。