IGBT是電源轉換的核心器件，由雙極型三極管和MOSFET組成，適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統。IGBT還是新能源與節能低碳經濟的主要支撐技術，具有開關速度快、載流密度大等特點，廣泛用于新能源汽車、光伏以及智能制造領域。IGBT制造屬于資本密集型行業，其產業鏈較長，包括芯片設計、芯片制造、模塊制造、測試等環節;部分設備依賴進口，成本高昂。

一、中國IGBT芯片行業技術趨勢：IGBT主要有三個發展方向

從行業整體發展規律而言，IGBT發展趨勢主要是降低損耗和降低成本。

從結構上講，IGBT主要有三個發展方向：

1)IGBT縱向結構：非透明集電區NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區NPT型和FS電場截止型;

2)IGBT棚極結構：平面棚機構、Trench溝槽型結構;

3)硅片加工工藝：外延生長技術、區熔硅單晶。

二、中國IGBT芯片行業需求情況：

IGBT憑借著高功率密度、驅動電路簡單以及寬安全工作區等特點，成為了中大功率、中低頻率電力電子設備的首選。在工作頻率低于10?Hz的范圍內，硅基IGBT是首選的功率半導體器件，其功率范圍涵蓋幾千瓦至十兆瓦，典型的應用領域包括工業控制(變頻器、逆變焊機、不間斷電源等);新能源汽車(主電驅、OBC、空調、轉向等);新能源發電(光伏逆變器、風電變流器);變頻白電(IPM);軌道交通(牽引變流器);智能電網等。

低壓IGBT一般電壓在1200V及以下，且適用于低消耗的消費電子和太陽能逆變器領域，中國本土廠商幾乎都有布局低壓領域。

中壓IGBT一般電壓在1200-2500V，適用于新能源汽車、風力發電等領域，由于碳中和計劃的持續推行以及新能源領域的高速發展，該領域是中國IGBT本土廠商未來主要發力的領域。

高壓IGBT一般電壓大于2500V，主要適用于高鐵、動車、智能電網等領域，中國本土廠商僅中車時代和斯達半導有所布局，中國高鐵里程數全球第一，需求量大，促進中上游技術發展，因此該領域率先實現了國產替代。

三、IGBT模塊的清洗現狀和未來的清洗趨勢

目前，大量的IGBT仍在采用傳統的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環保的管控和對產品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此，合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明半水基清洗工藝解決方案，采用合明專利配方，可在清洗IGBT凹槽內存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護芯片獨特的材料；配方材料親水性強，清洗后易于用水漂洗干凈。

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