在芯片表面金屬層上制備芯片凸點時，為了防止封裝中的金屬及污染離子向芯片表面金屬層擴散造成腐蝕或形成硬脆的金屬間化合物（Intermetallic Compound，IMC），降低互連系統的可靠性，需要在芯片表面金屬層與芯片凸點之間添加凸點下金屬化層（Under Bump Metallurgy，UBM）結構作為過渡層。如圖3所示，UBM結構包括覆蓋在芯片金屬層上的粘接層、阻擋層、潤濕層和抗氧化層。

最早的FC晶圓C4凸點制造技術是IBM公司開發的蒸鍍工藝，目前最常用的方法是電化學沉積或電鍍工藝。

芯片凸點的蒸鍍工藝流程如下：將鉬掩模板對中至晶圓，在晶圓上蒸鍍UBM層后進行焊料的蒸鍍，隨后移去掩模板，最后通過回流焊使焊料成為光滑的球型。

蒸鍍工藝的缺點是蒸鍍工藝較低的材料利用率增加了成本，同時蒸鍍工藝得到的凸點節距較大，較難應用于細節距芯片。

芯片凸點的電化學沉積或電鍍工藝如圖4(a)所示，采用濺射方法沉積UBM，然后在UBM層上涂覆光刻膠，使用掩模板進行紫外線曝光，定義凸點的位置和形狀，在凸點位置電鍍一層Cu作為潤濕層，然后電鍍焊料，剝離光刻膠并用過氧化氫或等離子蝕刻去除其他位置多余的UBM，最后對晶圓進行回流，在表面張力的作用下形成光滑的球型C4焊料凸點。

電鍍工藝進行焊料凸點制作的成本效益好、良率高、速度快且凸點密度高。焊料還可以通過焊膏的絲網印刷工藝來實現，沉積UBM后，使用自動漏印板或絲網印刷結合精密漏印板，對特制的焊膏進行刮板印刷得到焊料圖形，并采用回流焊的方式使焊料凸點變為球型。這種方法雖然成本較低，但是所得凸點的形狀粗糙，且無法制作細節距凸點。

焊料凸點的材料可以被分為三種：熔點超過250℃的高溫焊料（95%Pb-5%Sn與97%Pb-3%Sn等）、熔點為200℃～250℃的中溫焊料（96.5%Sn-3.0%Ag-0.5%Cu，99%Sn-0.3%Ag-0.7%Cu與96.5%Sn-3.5%Ag等）以及熔點低于200℃的低溫焊料（37%Pb-63%Sn共晶，42%Sn-58%Bi共晶以及48%Sn-52%In等）。

C4工藝可以達到較薄封裝外形和較高引腳密度的要求，且具有電性能優良以及凸點芯片可返修等優點。此外，C4焊料凸點在熔融過程中的表面張力還可以幫助焊料與金屬層進行自對準，在一定程度上降低了對沉積精度及貼片精度的要求，一般C4凸點芯片的焊料回流焊凸點節距可以小至50μm。

在進行芯片與基板之間鍵合的過程中，大多數C4凸點采用的鍵合方法為回流焊工藝。涂敷助焊劑后，將FC表面向下對齊貼裝至底部芯片或基板，進行回流焊。

回流焊工藝過程中，焊料融化并潤濕底部芯片或基板的技術層，表面張力作用下FC和底部芯片或基板發生自對準并形成冶金結合。冶金結合的過程即焊料與金屬層發生反應生成穩定的IMC的過程，Cu6Sn5與Cu3Sn是鍵合過程中最常見的IMC，產生于Sn基焊料與Cu發生反應時。

3、Cu柱凸點      

隨著IC集成度的提高，芯片凸點需要滿足細節距以及極細節距芯片的要求。而C4凸點回流后呈球型，尺寸較大，在節距較小時容易發生短路。因此，需要使用其他技術進行細節距芯片的凸點制作，C2（Chip Connection）技術是其中的主流技術之一。

C2技術中使用的Cu柱直徑不受高度影響，可以實現更細節距凸點的制備，Cu柱可以分為不帶焊料帽以及帶焊料帽的Cu柱。C2凸點的制造工藝基本與C4凸點相同，如圖4(b)所示，只不過電鍍過程中不再是電鍍焊料而改為電鍍Cu。

在帶焊料帽Cu柱制造過程中，除了電鍍Cu還會在Cu柱上再電鍍一層厚度較薄的焊料帽。因為Cu的熱導率（400W/m·k）和電阻率（0.0172μΩ·m）都優于焊料（55W/m·k~60W/m·k和0.12μΩ·m~0.14μΩ·m），因此與C4 技術相比，C2凸點有更好的電性能、熱性能和力學性能。

但是由于C2凸點的焊料體積非常小，甚至在不帶焊帽的Cu柱凸點中沒有焊料的存在，C2凸點的表面張力不足以執行Cu柱與焊帽的自對準，故C2凸點的自對準性不如C4 焊料凸點。