在SiC功率器件領(lǐng)域，國產(chǎn)廠商在2023年取得了突破性的進(jìn)展。眾多廠商紛紛宣布進(jìn)入或推出車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品，尋求進(jìn)入汽車供應(yīng)鏈。隨著新能源汽車市場的迅猛發(fā)展，800V車型開始下沉到20萬元市場，SiC模塊的滲透率大幅增長，進(jìn)一步刺激了對車規(guī)SiC MOSFET的需求。同時(shí)，越來越多的Tier 1和整車廠開始接受國產(chǎn)車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品，為國產(chǎn)SiC器件廠商提供了巨大的商機(jī)。2023年國產(chǎn)廠商推出的車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品去年國內(nèi)廠商有從模擬芯片入局到SiC功率器件領(lǐng)域，有初創(chuàng)公司推出首款車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品，也有一些廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品成功導(dǎo)入到主驅(qū)逆變器應(yīng)用并量產(chǎn)。下面就來盤點(diǎn)一下2023年國內(nèi)廠商推出的車規(guī)SiC MOSFET產(chǎn)品（排名不分先后）。瞻芯電子在8月宣布，依托自建的SiC晶圓產(chǎn)線，他們開發(fā)了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品。其中，IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)已獲得AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證證書，并通過了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導(dǎo)入測試，正式進(jìn)入量產(chǎn)交付階段。與第一代產(chǎn)品相比，瞻芯電子的第二代SiC MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì)，降低了約25%的比導(dǎo)通電阻，顯著降低了開關(guān)損耗，提升了系統(tǒng)效率。同時(shí)，該產(chǎn)品依然保持了高可靠性與強(qiáng)魯棒性，在AEC-Q101車規(guī)可靠性認(rèn)證、短路測試、浪涌測試等評估中表現(xiàn)優(yōu)秀。此外，瞻芯電子在10月通過了第三方認(rèn)證機(jī)構(gòu)TüV的嚴(yán)格評審，正式獲得IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證。11月，他們開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)也通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101)，導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，主要用于各類輔助電源，在新能源汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域有廣泛需求。這款產(chǎn)品現(xiàn)已通過多家知名客戶評估測試，逐步批量交付應(yīng)用。瞻芯電子成立于2017年，致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅功率模塊產(chǎn)品，并圍繞碳化硅應(yīng)用為客戶提供一站式解決方案。值得一提的是，瞻芯電子是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司。他們的車規(guī)級SiC晶圓廠在2022年9月完成首批晶圓流片，成功打通6英寸SiC MOSFET工藝平臺。納芯微在7月宣布了他們的SiC MOSFET產(chǎn)品，全系列具有1200V的耐壓能力。該系列產(chǎn)品包括四種規(guī)格的Rdson（Vgs=18V），分別為14/22/40/60mΩ，并計(jì)劃經(jīng)過全面的車規(guī)級認(rèn)證，以確保完全符合汽車級應(yīng)用的需求。納芯微表示，布局功率器件是為了圍繞目標(biāo)市場和應(yīng)用，完善在客戶端的產(chǎn)品布局，為客戶提供完整的芯片級解決方案。其中，SiC MOSFET產(chǎn)品正在逐步進(jìn)行客戶送樣和驗(yàn)證工作。納芯微早期以信號感知芯片為主，后來逐步形成了信號感知、隔離與接口、驅(qū)動(dòng)與采樣三大產(chǎn)品線。其中，隔離芯片發(fā)展迅速，目前已經(jīng)成為國內(nèi)隔離芯片的領(lǐng)先者。自2022年開始，納芯微開始布局SiC器件，包括SiC二極管和SiC MOSFET等產(chǎn)品。其中，SiC MOSFET主要聚焦于OBC應(yīng)用，同時(shí)也在開發(fā)適用于主驅(qū)逆變器的產(chǎn)品。納芯微的SiC MOSFET產(chǎn)品將為其在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用提供有力支持，并與公司的其他產(chǎn)品線形成協(xié)同效應(yīng)，共同推動(dòng)公司在新能源汽車領(lǐng)域的業(yè)務(wù)發(fā)展。昕感科技在5月自主研發(fā)的1200V/80mΩ SiC MOSFET器件通過了國內(nèi)第三方可靠性認(rèn)證，成功獲得了全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。在12月，他們又推出了另一款面向新能源領(lǐng)域的1200V/7mΩ規(guī)格的SiC MOSFET產(chǎn)品。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的結(jié)構(gòu)和制造工藝，兼容18V柵壓驅(qū)動(dòng)，采用TO-247-4L Plus封裝，并且可以封裝進(jìn)定制化功率模塊，以支持在汽車主驅(qū)等新能源領(lǐng)域中的廣泛應(yīng)用。昕感科技成立于2022年，專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件和模塊的設(shè)計(jì)開發(fā)和制造。他們總部位于北京，并在無錫和深圳設(shè)有器件生產(chǎn)線和研發(fā)中心。公司的創(chuàng)始人在新能源汽車產(chǎn)業(yè)有成功創(chuàng)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，他們之前的創(chuàng)業(yè)公司是30余家主流車企的一級供應(yīng)商。澎芯半導(dǎo)體在5月發(fā)布了1200V車規(guī)級平臺SiC MOSFET新品，規(guī)格為1200V 40mΩ。這款產(chǎn)品經(jīng)過了6個(gè)月全面的設(shè)計(jì)開發(fā)和可靠性考核，封裝形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。此前，澎芯半導(dǎo)體已經(jīng)在該1200V車規(guī)級平臺上量產(chǎn)了80mΩ、60mΩ、32mΩ的SiC MOSFET產(chǎn)品。到了12月，澎芯半導(dǎo)體再次在1200V車規(guī)級平臺上推出了1200V/15mΩ的SiC MOSFET新品。這款產(chǎn)品由澎芯半導(dǎo)體聯(lián)手國內(nèi)標(biāo)桿SiC晶圓廠制造完成，產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)性能指標(biāo)表現(xiàn)非常優(yōu)異，試產(chǎn)良率達(dá)到75%。同時(shí)，已聯(lián)合模塊客戶（模塊封裝廠）和終端使用客戶共同定義開發(fā)出1200V/150A和1200V/400A的模塊產(chǎn)品，后續(xù)可提供晶圓和客制化模塊兩大類產(chǎn)品。澎芯半導(dǎo)體有限公司成立于2020年，專注于SiC功率半導(dǎo)體器件的開發(fā)、銷售和技術(shù)服務(wù)。該公司已與國內(nèi)外多家專業(yè)從事SiC功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上下游業(yè)務(wù)的企業(yè)完成深度合作，并且建立了行業(yè)領(lǐng)先的SiC器件仿真設(shè)計(jì)、性能參數(shù)測試、可靠性測試和晶圓測試分析平臺。在4月，基本半導(dǎo)體位于深圳光明區(qū)的車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線項(xiàng)目舉行了通線儀式，該產(chǎn)線主要生產(chǎn)6英寸碳化硅MOSFET晶圓等產(chǎn)品。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，每年將能滿足約50萬輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求，為新能源汽車產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展提供了有力支持。到了5月，基本半導(dǎo)體發(fā)布了第二代SiC MOSFET系列新品，涵蓋了1200V 65mΩ/40mΩ/35mΩ/20mΩ四種比導(dǎo)通電阻規(guī)格，同時(shí)提供了多種封裝規(guī)格選擇，包括TO-247-3、TO-247-4、TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227等。據(jù)介紹，第二代SiC MOSFET在芯片設(shè)計(jì)方案上進(jìn)行了綜合優(yōu)化，比導(dǎo)通電阻降低了約40%，器件Qg降低了約60%，開關(guān)損耗降低了約30%，工作結(jié)溫也達(dá)到了175°C。基本半導(dǎo)體成立于2016年，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。他們覆蓋了碳化硅功率半導(dǎo)體的材料制備、芯片設(shè)計(jì)與制造、封裝測試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級碳化硅功率模塊、碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片等，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。2023年，芯塔電子在碳化硅功率器件領(lǐng)域取得了令人矚目的成果。他們自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝SiC MOSFET器件已成功獲得第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）的全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，并且在頭部OBC企業(yè)通過測試，已進(jìn)入批量導(dǎo)入階段。此外，該公司的SiC MOSFET器件已導(dǎo)入多家充電樁、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域客戶，并實(shí)現(xiàn)了批量出貨。芯塔電子的第二代SiC MOSFET在器件優(yōu)值因子和柵極抗串?dāng)_性能方面表現(xiàn)優(yōu)異，處于業(yè)界領(lǐng)先地位。他們即將發(fā)布的第三代SiC MOSFET將在元胞層面實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)創(chuàng)新及整體性能提升。芯塔電子自2018年成立以來，創(chuàng)始人倪煒江博士憑借其在碳化硅功率器件領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)，成功領(lǐng)導(dǎo)建設(shè)了國內(nèi)首條4英寸和6英寸的碳化硅器件產(chǎn)線。目前，公司主要產(chǎn)品線包括SiC SBD、SiC MOSFET，以及全SiC/混合SiC功率模塊等，同時(shí)還可以提供SiC SBD裸芯片，包括4/6英寸的裸晶圓產(chǎn)品。此外，芯塔電子還布局了功率模塊封裝產(chǎn)線。去年6月，倪煒江表示芯塔電子的車規(guī)級碳化硅模塊產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在浙江湖州完成落地。新建的模塊封裝線將緊密結(jié)合新能源汽車對新型SiC MOSFET模塊的需求，已與戰(zhàn)略合作的整車廠以及T1廠商達(dá)成了產(chǎn)品合作的意向。產(chǎn)品量產(chǎn)后，他們將立刻進(jìn)行完整的上車測試與整車驗(yàn)證，為推動(dòng)新能源汽車的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。中科漢韻在9月宣布，他們的車規(guī)級SiC MOSFET晶圓已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)交付。這款產(chǎn)品包括1200V/17mΩ和750V/13mΩ兩種型號，將應(yīng)用于電動(dòng)汽車的主驅(qū)系統(tǒng)中。經(jīng)過一系列的驗(yàn)證，包括工程批工藝開發(fā)、工藝平臺逐步穩(wěn)定、小批量交付客戶、器件參數(shù)穩(wěn)定以及客戶模塊參數(shù)驗(yàn)證和模塊產(chǎn)品可靠性驗(yàn)證等，中科漢韻從今年開始批量交付車規(guī)級SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品，良率達(dá)到70%以上。中科漢韻成立于2019年，由中國科學(xué)院微電子研究所和徐州中科芯韻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金共同投資。他們致力于成為提供全面的車規(guī)級碳化硅芯片與功率器件組合產(chǎn)品的IDM廠商。瀾芯半導(dǎo)體在11月發(fā)布了業(yè)界最低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET單管產(chǎn)品，規(guī)格為1200V/6mΩ。這款產(chǎn)品采用瀾芯半導(dǎo)體最新的第二代SiC MOSFET技術(shù)平臺，TO247-PLUS封裝，可以廣泛應(yīng)用于光伏、儲(chǔ)能、高壓充電以及單管集成主驅(qū)逆變器等領(lǐng)域。早在8月，瀾芯半導(dǎo)體就表示其首款SiC MOSFET產(chǎn)品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通過了1000小時(shí)175℃ 100%Vds HTRB和1000小時(shí)175℃ HTGB可靠性考核。該測試是參考車規(guī)AEC-Q101的可靠性考核條件進(jìn)行考核，參考依據(jù)為AEC-Q101-Rev-E-B1-2021/AEC-Q101-Rev-E-B2-2021。上海瀾芯半導(dǎo)體有限公司成立于2022年6月，是一家專注于功率芯片設(shè)計(jì)的公司。他們的產(chǎn)品包括碳化硅功率器件、硅基IGBT、MOSFET相關(guān)的單管和功率模塊產(chǎn)品。研發(fā)團(tuán)隊(duì)具備豐富的功率芯片開發(fā)經(jīng)驗(yàn)和深厚的車規(guī)級功率半導(dǎo)體行業(yè)背景。在4月，蓉矽半導(dǎo)體宣布他們的200V 12mΩ NovuSiC? MOSFET已經(jīng)開始量產(chǎn)。這一重要里程碑的實(shí)現(xiàn)得益于他們的高效研發(fā)和卓越的生產(chǎn)工藝。首批次量產(chǎn)的平均良率高達(dá)80%，這充分證明了該產(chǎn)品的高可靠性和高質(zhì)量，完全滿足車規(guī)主驅(qū)芯片的標(biāo)準(zhǔn)。蓉矽半導(dǎo)體，這家成立于2019年的企業(yè)，不僅是四川省首家專注于碳化硅功率器件設(shè)計(jì)與開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)，更是自主開發(fā)世界一流車規(guī)級碳化硅器件的佼佼者。他們擁有臺灣漢磊科技的第一優(yōu)先級產(chǎn)能保障，這為他們的快速發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的支撐。蓉矽半導(dǎo)體的產(chǎn)品線非常豐富，包括高性價(jià)比的“NovuSiC?”和高可靠性的“DuraSiC?”兩大系列。產(chǎn)品涵蓋了碳化硅二極管EJBS?與碳化硅MOSFET，以及硅基FR MOS和理想硅基二極管MCR?。這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁、OBC及新能源汽車等領(lǐng)域，為推動(dòng)新能源技術(shù)的發(fā)展做出了積極貢獻(xiàn)。在10月，國星光電研發(fā)的1200V/80mΩ SiC MOSFET順利獲得了AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證，并通過了高壓960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核。這一成就使國星光電成為國內(nèi)少數(shù)幾家能夠通過雙重考核的SiC功率分立器件廠商之一。這款車規(guī)級器件采用了國星光電自主研發(fā)的NSiC-KS封裝技術(shù)。這種技術(shù)有效地避免了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用源極線路，實(shí)現(xiàn)了這兩個(gè)回路的解耦。這使得器件的開關(guān)損耗和開通損耗顯著降低，開關(guān)頻率更快，并且寄生電感和誤開啟風(fēng)險(xiǎn)也大大降低。國星光電成立于1969年，一直專注于LED及LED應(yīng)用產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。作為國內(nèi)首家以LED為主業(yè)上市的企業(yè)，以及最早生產(chǎn)LED的企業(yè)之一，國星光電在國內(nèi)LED封裝領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。為了進(jìn)一步拓展業(yè)務(wù)，國星光電于2019年成立了第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目組。這個(gè)團(tuán)隊(duì)致力于高可靠性功率器件的封裝設(shè)計(jì)與生產(chǎn)制造，產(chǎn)品系列覆蓋碳化硅分立器件（SBD、MOS）、碳化硅功率模塊、氮化鎵分立器件等。在12月，南瑞半導(dǎo)體宣布其自主研發(fā)的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）已順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。這款器件采用了低比導(dǎo)微元胞芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)技術(shù)，使得其比導(dǎo)通電阻Ron,sp低至3.1mΩ·cm2，良率高達(dá)90%，達(dá)到了國際一流水平。南瑞半導(dǎo)體的第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但通過進(jìn)一步優(yōu)化工藝，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。這款產(chǎn)品可耐受高達(dá)175℃的工作結(jié)溫，在同類產(chǎn)品中表現(xiàn)出較低的比導(dǎo)通電阻、更小的開關(guān)損耗、較高的開關(guān)速度和較低的寄生電容。南瑞半導(dǎo)體是國電南瑞與國家電網(wǎng)有限公司下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司在2019年共同投資設(shè)立的功率半導(dǎo)體企業(yè)。目前，該公司的產(chǎn)品主要面向大功率應(yīng)用，其IGBT/FRD產(chǎn)品電壓等級涵蓋650V-6500V，SiC MOSFET產(chǎn)品電壓等級涵蓋1200V-3300V。這些產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于高壓柔性輸電、電能質(zhì)量治理、特種電源、工業(yè)傳動(dòng)、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、新型儲(chǔ)能、制氫電源、充電設(shè)施和新能源汽車等領(lǐng)域。在2023年11月，飛锃半導(dǎo)體就展示了其車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品。這些產(chǎn)品包括1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ規(guī)格，不僅已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，還通過了第三方車規(guī)AEC-Q101可靠性驗(yàn)證以及960V高壓H3TRB加嚴(yán)測試。飛锃半導(dǎo)體的車規(guī)級SiC MOSFET目前已經(jīng)發(fā)展到第二代，通過工藝優(yōu)化，降低了單位晶圓面積內(nèi)的導(dǎo)通電阻，進(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)性能。更值得一提的是，該產(chǎn)品采用了開爾文Source封裝，這種封裝設(shè)計(jì)避免了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用源極線路，從而顯著提升了器件的開關(guān)速度和抗干擾能力。這為提高開關(guān)頻率、提升系統(tǒng)效率功率密度提供了更多的可能性。飛锃半導(dǎo)體自2018年成立以來，一直致力于碳化硅器件的研發(fā)與生產(chǎn)。作為國內(nèi)首家在硅晶圓代工廠成功生產(chǎn)6英寸碳化硅器件的功率器件廠商，飛锃半導(dǎo)體的主要產(chǎn)品線包括碳化硅二極管和碳化硅MOSFET，已經(jīng)批量供應(yīng)給光伏行業(yè)、車載電源等領(lǐng)域的頭部企業(yè)。除此之外，他們還正在研發(fā)全碳化硅半橋模塊產(chǎn)品，進(jìn)一步豐富其產(chǎn)品線。12月，中瓷電子在投資者互動(dòng)平臺上宣布，其子公司國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體的電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功，并開始交由客戶進(jìn)行上車驗(yàn)證，同時(shí)有小批量銷售。國聯(lián)萬眾目前擁有包括650V、1200V和1700V在內(nèi)的多種SiC功率模塊系列產(chǎn)品，并計(jì)劃未來進(jìn)軍高壓SiC功率模塊領(lǐng)域。令人振奮的是，國聯(lián)萬眾的車規(guī)級SiC MOSFET模塊已成功向國內(nèi)一線車企穩(wěn)定供貨數(shù)百萬只。此外，國聯(lián)萬眾的OBC用SiC MOSFET芯片月產(chǎn)能已達(dá)到5kk只以上，完全能夠滿足車企的需求。值得一提的是，中瓷電子透露其主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品主要面向比亞迪，而其他客戶也正處于緊密接觸、合作協(xié)商、送樣驗(yàn)證等階段。國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體成立于2015年3月，是由中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所控股的混合所有制企業(yè)。公司主營業(yè)務(wù)涵蓋第三代半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、封裝、模塊、檢測和應(yīng)用等產(chǎn)品，包括GaN射頻功放和SiC功率器件等。在11月，中汽創(chuàng)智自主研發(fā)的首批1200V 20mΩ SiC MOSFET芯片在積塔工廠正式下線！這款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu)，擁有獨(dú)立自主的知識產(chǎn)權(quán)。其獨(dú)特的新型終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，帶來了更高的工藝可靠性。在相同耐壓水平下，該芯片體積更小，非常適合應(yīng)用于新能源汽車的主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。中汽創(chuàng)智表示，未來他們還將推出自主研發(fā)的1200V 40mΩ和80mΩ SiC MOSFET等產(chǎn)品，持續(xù)推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。中汽創(chuàng)智是由中國一汽、東風(fēng)公司、兵器裝備集團(tuán)、長安汽車及南京江寧經(jīng)開科技共同出資設(shè)立的強(qiáng)大團(tuán)隊(duì)。他們圍繞“車端+云端+通信端”生態(tài)體系，致力于實(shí)現(xiàn)新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)的智能底盤、新能動(dòng)力、智能網(wǎng)聯(lián)技術(shù)的突破，開創(chuàng)央企發(fā)展的新模式。中汽創(chuàng)智以SiC模塊為切入點(diǎn)，快速形成了SiC功率模塊封裝、測試能力和基于SiC技術(shù)的車載集成電源系統(tǒng)開發(fā)能力。他們逐步建立起從上游芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝，到下游應(yīng)用支持的“一站式”能力，為行業(yè)發(fā)展樹立了新的標(biāo)桿。在7月，杰平方半導(dǎo)體發(fā)布了自主研發(fā)的SiC MOSFET產(chǎn)品JPM120020B，這款產(chǎn)品規(guī)格為1200V/20mΩ，具有出色的穩(wěn)定工作溫度達(dá)175℃，采用了先進(jìn)的減薄工藝。它具備優(yōu)異的低阻抗特性，能有效減小器件能量損耗。同時(shí)，經(jīng)過嚴(yán)苛的可靠性認(rèn)證，包括大批量的HTRB、HTGB測試和HV-H3TRB測試，確保了其在光伏逆變、新能源汽車、充電樁、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的應(yīng)用可靠性。在9月，杰平方獲得了德國萊茵TüV集團(tuán)頒發(fā)的ISO 26262功能安全管理體系A(chǔ)SIL D認(rèn)證證書。這一重要認(rèn)證為杰平方設(shè)計(jì)符合功能安全要求的車規(guī)級芯片打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。到了10月，杰平方宣布啟動(dòng)位于香港的8英寸SiC IDM晶圓廠項(xiàng)目，計(jì)劃投資港幣69億元。該項(xiàng)目預(yù)計(jì)在2028年達(dá)到年產(chǎn)24萬片的產(chǎn)能，這不僅是杰平方發(fā)展歷程中的重要里程碑，更是香港歷史上第一家規(guī)模化的半導(dǎo)體晶圓廠。杰平方半導(dǎo)體成立于2019年，專注于車載芯片的研發(fā)。他們致力于滿足中國汽車產(chǎn)業(yè)對國產(chǎn)自主車載芯片的迫切需求，主要面向電能轉(zhuǎn)換、通信等領(lǐng)域，提供高性能碳化硅（SiC）芯片、車載以太網(wǎng)芯片等前沿產(chǎn)品。杰平方半導(dǎo)體的出現(xiàn)，無疑為中國汽車產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新和升級提供了強(qiáng)大的支持。
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