第一種是通過(guò)引線連接，采用導(dǎo)電性好的金絲將芯片管腳與電路相連接，稱為wire bonding。

第二種是管腳貼合技術(shù)，將金絲轉(zhuǎn)換成銅箔，銅箔與芯片管腳的凸點(diǎn)貼合，稱為TAB。

第三種是倒裝技術(shù)，是將芯片上導(dǎo)電的凸點(diǎn)與電路板上的凸點(diǎn)通過(guò)一定工藝連接起來(lái)，稱為Flip chip。

（1）VO 密度高。

  (2） 由于采用了凸點(diǎn)結(jié)構(gòu)，互連長(zhǎng)度大大縮短，互連線電阻、電感更小，封裝的電性能得到極大的改善

（3） 芯片中產(chǎn)生的熱量可通過(guò)焊料凸點(diǎn)直接傳輸?shù)椒庋b襯底上，因此芯片溫度會(huì)降低。

第一步：凸點(diǎn)底部金屬化 (UBM=under bump metallization)

UBM的沉積方法主要有：

濺射：用濺射的方法一層一層地在硅片上沉積薄膜，然后通過(guò)照相平版技術(shù)形成UBM圖樣，然后刻蝕掉不是圖樣的部分。

蒸鍍：利用掩模，通過(guò)蒸鍍的方法在硅片上一層一層地沉積。這種選擇性的沉積用的掩模可用于對(duì)應(yīng)的凸點(diǎn)的形成之中。

化學(xué)鍍:采用化學(xué)鍍的方法在Al焊盤上選擇性地鍍Ni。常常用鋅酸鹽工藝對(duì)Al表面進(jìn)行處理。無(wú)需真空及圖樣刻蝕設(shè)備，低成本。

第二步：芯片凸點(diǎn)

這部分是形成凸點(diǎn)，可以看做給P-N結(jié)做電極，類似于給電池加工一個(gè)輸出端。

常見(jiàn)的6種形成凸點(diǎn)形成辦法:

蒸鍍焊料凸點(diǎn),

電鍍焊料凸點(diǎn),

印刷焊料凸點(diǎn),

釘頭焊料凸點(diǎn)

放球凸點(diǎn)

焊料轉(zhuǎn)移凸點(diǎn)

以典型的電鍍焊料凸點(diǎn)來(lái)看，其加工示意圖如下：

完成后的凸點(diǎn)在掃描電子顯微鏡下觀察，微觀形態(tài)是一個(gè)體型均勻的金屬球。

下圖是凸點(diǎn)形成前后的對(duì)比，回流加熱前為圓柱體，加熱后金屬材料融化，形成球形融化電極。

第三步：將已經(jīng)凸點(diǎn)的晶片組裝到基板／板卡上

第四步：使用非導(dǎo)電材料填充芯片底部孔隙

下面是填膠示意圖：

填膠完成后的芯片和基板穩(wěn)定的結(jié)合在一起，完成后的示意圖：

芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開(kāi)路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。