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芯片封裝之淺談Cu Clip 技術幾點優勢與兩種鍵合方式

合明科技 ?? 6405 Tags:CuClip技術芯片封裝清洗功率器件封裝

Cu Clip 即銅條帶,銅片。Clip Bond 即條帶鍵合,是采用一個焊接到焊料的固體銅橋實現芯片和引腳連接的封裝工藝。與傳統的鍵合封裝方式相比,Cu Clip 技術有以下幾點優勢:

1、芯片與管腳的連接采用銅片,一定程度上取代芯片和引腳間的標準引線鍵合方式,因而可以獲得獨特的封裝電阻值、更高的電流量、更好的導熱性能。
2、引線腳焊接處無需鍍銀,可以充分節省鍍銀及鍍銀不良產生的成本費用。
3、產品外形與正常產品完全保持一致,主要應用在服務器、便攜式電腦、電池/驅動器、顯卡、馬達、電源供應等領域。
目前 Cu Clip 有兩種鍵合方式:

1、全銅片鍵合方式

●  Gate pad 和 Source pad均是Clip方式,此鍵合方法成本較高,工藝較復雜,能獲得更好的Rdson以及更好的熱效應。

2、銅片加線鍵合方式

●  Source pad為Clip 方式, Gate為Wire方式,此鍵合方式較全銅片的稍便宜,節省晶圓面積(適用于Gate極小面積),工藝較全銅片簡單一些,能獲得更好的Rdson以及更好的熱效應。

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功率芯片通過封裝實現與外部電路的連接,其性能的發揮則依賴著封裝的支持,在大功率場合下通常功率芯片會被封裝為功率模塊進行使用。芯片互連(interconnection)指芯片上表面的電氣連接,在傳統模塊中一般為鋁鍵合線。

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圖 傳統功率模塊封裝截面

目前商用碳化硅功率模塊仍然多沿用這種引線鍵合的傳統硅 IGBT 模塊的封裝技術,面臨著高頻寄生參數大、散熱能力不足、耐溫低、絕緣強度不足等問題,限制了碳化硅半導體優良性能的發揮。為了解決這些問題,充分發揮碳化硅芯片潛在的巨大優勢,近年來出現了許多針對碳化硅功率模塊的新型封裝技術和方案。

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圖 碳化硅功率模塊鍵合方式

鍵合材料從2001年的金線鍵合,發展為2006年的鋁線(帶)鍵合,2011年銅線鍵合,2016年 Cu Clip 鍵合。小功率的器件由金線發展為銅線,驅動力是成本降低;大功率器件由鋁線(帶)發展為 Cu Clip,驅動力是產品性能提升,功率越大要求越高。

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圖 (a) 引線鍵合和 (b) Cu Clip功率模塊結構圖

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圖 (左)銅線及(右)銅帶連接工藝


相關產品展示

 Copper Clip工藝功率封裝

  ●安盛copper clip工藝封裝,應用于功率器件封裝

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 ●應用銅塊連接MOS FET的Source與框架(leadframe)以獲得更好的Rdson以及更好的熱效應。

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Copper Clip 優勢

  ●電性能

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熱性能

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Clip Bond Application 應用領域image.png


在功率電子領域,使用引線鍵合的載流能力總有一天會達到極限,條帶鍵合則成為引線鍵合與載帶自動鍵合(TAB)的替代方案,并且許多傳統的超聲波楔形引線鍵合機可以輕松適應鍵合帶的處理,因而使條帶鍵合頗具吸引力。

激光條帶鍵合是電子行業,特別是功率電子領域中激光微焊接的新應用。它特別適合用于將鍵合線接到電池端子上,以及連接到功率電子模塊的直接覆銅(DCB)基板和銅端子上。通過適用激光鍵合,可以完成針對更大電流的條帶鍵合應用。

芯片封裝清洗:

合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。

合明科技運用自身原創的產品技術,滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求,打破國外廠商在行業中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產自主提供強有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產品。

 




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