先進(jìn)封裝是超越摩爾定律方向中一條重要賽道，它能提供更好的兼容性和更高的連接密度，使得系統(tǒng)集成度的提高不再局限于同一顆芯片。具體來(lái)看，先進(jìn)封裝的優(yōu)勢(shì)在于1）優(yōu)化連接方式，實(shí)現(xiàn)更高密度的集成；2）更容易地實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成，即在同一個(gè)封裝內(nèi)集成不同材料、線寬的半導(dǎo)體芯片和器件，從而充分利用不同種類芯片的性能優(yōu)勢(shì)以及成熟制程的成本優(yōu)勢(shì)。

隨著全球數(shù)字化普及，芯片總數(shù)量的增加使得封裝行業(yè)總體價(jià)值量增厚，消費(fèi)電子、汽車及工業(yè)領(lǐng)域?qū)?shù)據(jù)傳輸速度和總量要求有較大提升，先進(jìn)封裝需求提升。據(jù)Yole Development測(cè)算，2020年全球先進(jìn)封裝市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)300億美元，預(yù)計(jì)2026年可達(dá)475億美元，CAGR為8%，2026年先進(jìn)封裝將超過(guò)封裝總市場(chǎng)規(guī)模的50%。具體來(lái)看，2020年倒裝、3D堆疊、扇出型封裝市場(chǎng)規(guī)模分別為247/20/12億美元，各占約80%/6%/5%，Yole預(yù)計(jì)到2026年細(xì)分市場(chǎng)規(guī)模分別達(dá)340/66/30億美元，其中，3D堆疊、扇出型市場(chǎng)規(guī)模增速最高，2020-2026年CAGR分別達(dá)22%/16%。

3D堆疊：3D堆疊有效解決了性能與功耗的取舍問(wèn)題，可以實(shí)現(xiàn)大帶寬、低功耗傳輸，因此廣泛應(yīng)用于人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)、高性能計(jì)算、數(shù)據(jù)中心、CIS和3D NAND領(lǐng)域中。

扇出型封裝：可以為芯片提供了更多I/O接口，因此能滿足更多數(shù)據(jù)連接通道。在數(shù)字化、智能化程度的驅(qū)動(dòng)下，扇出型封裝能夠滿足移動(dòng)和消費(fèi)領(lǐng)域快速增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)傳輸需求。同樣地，扇出型封裝亦能滿足汽車智能駕駛算力提升對(duì)數(shù)據(jù)傳輸提出的需求。

前后道頭部廠家紛紛搶灘，先進(jìn)封裝成必爭(zhēng)之地：先進(jìn)封裝推動(dòng)前后道工藝相互滲透融合分化出“中道”概念，也預(yù)示了行業(yè)新模式的可能：具有較高技術(shù)壁壘和技術(shù)積累的廠商會(huì)向上下游工序延伸。先進(jìn)封裝市場(chǎng)需求較大，頭部廠商憑借各自優(yōu)勢(shì)入局，成為先進(jìn)封裝行業(yè)的主力軍。

中國(guó)封測(cè)頭部廠家通過(guò)自主研發(fā)和兼并收購(gòu)，已基本形成先進(jìn)封裝的產(chǎn)業(yè)化能力，并在關(guān)鍵技術(shù)上（如Bumping、Flip-Chip、TSV和2.5D/3D堆疊技術(shù)等）實(shí)現(xiàn)了與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)對(duì)標(biāo)的能力，繼續(xù)提升BGA、PGA、WLP和SiP等先進(jìn)封裝形式的產(chǎn)能規(guī)模。

（1）封測(cè)廠商（國(guó)內(nèi)龍頭實(shí)現(xiàn)技術(shù)覆蓋，毛利率低，今年供需改變）

2、半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈都將受益于先進(jìn)封裝帶來(lái)的技術(shù)革新（eda工具延伸，IP廠商提供chiplet芯片芯原股份，設(shè)備材料國(guó)產(chǎn)化率低）

制造端：先進(jìn)封裝使封裝的定義得以延伸，前道工序的采用也使得先進(jìn)封裝技術(shù)壁壘不斷提升，在后道工序中的作用愈發(fā)重要。先進(jìn)封裝已成為封測(cè)代工行業(yè)繼續(xù)立足的必爭(zhēng)之地。此輪技術(shù)革新由頭部廠家?guī)?dòng)，頭部封測(cè)代工廠商與IDM、晶圓廠主導(dǎo)的寡頭局面或成行業(yè)新格局，率先布局先進(jìn)封裝才有資格參與下一步的份額競(jìng)爭(zhēng)，其先入優(yōu)勢(shì)有望在產(chǎn)能提升后進(jìn)一步放大。

設(shè)計(jì)端：傳統(tǒng)形式中相對(duì)獨(dú)立的芯片設(shè)計(jì)與封裝設(shè)計(jì)之間聯(lián)系愈發(fā)緊密，先進(jìn)封裝使得EDA工具應(yīng)用向系統(tǒng)設(shè)計(jì)延伸。SiP、Chiplet、3D-IC等封裝形式建立了一個(gè)多芯片、元器件環(huán)境，芯片設(shè)計(jì)師需要在一開始就考慮到整個(gè)系統(tǒng)層級(jí)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化，也需要一套能夠使整個(gè)團(tuán)隊(duì)都能參與設(shè)計(jì)的EDA工具平臺(tái)。IP廠商也將充分受益于硅片級(jí)別IP復(fù)用—Chiplet（芯粒）帶來(lái)的新商機(jī)。

設(shè)備端、材料端：1）目前，國(guó)內(nèi)前道設(shè)備制造商已進(jìn)入頭部客戶的產(chǎn)線并已形成較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。然而，封測(cè)產(chǎn)業(yè)雖然是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中最成熟的環(huán)節(jié)，但后道封裝和測(cè)試設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率仍然較低，仍需關(guān)注后道封裝測(cè)試設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。2）此外，中道工藝對(duì)光刻膠、CMP相關(guān)材料的需求也在不斷上升。雖然先進(jìn)封裝對(duì)引線框架和鍵合絲線的需求較小，但長(zhǎng)期來(lái)看，如QFN、TO等傳統(tǒng)封裝形式發(fā)展至今規(guī)模化生產(chǎn)水平已較高，仍具備成本優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)規(guī)模有望維持穩(wěn)定增長(zhǎng)。

先進(jìn)芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤(rùn)濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來(lái)而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。