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功率半導體知識介紹
功率半導體是一種用于電力電子轉換的關鍵組件,它能夠實現電能的高效轉換、傳輸和控制。功率半導體在工業、消費電子、交通運輸、能源等多個領域具有廣泛的應用,如電動汽車、高鐵、太陽能、風能等。根據不同結構和襯底材料,功率半導體具有不同的電學性能和成本,因此在不同應用場景各具優勢,呈現出多器件結構和多襯底材料共存的特征。
全球功率半導體市場呈現穩定增長的態勢,主要生產廠商集中在美國、歐洲、日本和韓國。相較于國際同行,中國功率半導體行業起步較晚,但通過引進技術和自主創新,已逐步提升國產化程度,滿足日益增長的下游需求。目前,中國功率半導體市場的主要企業分為三個梯隊,其中第一梯隊的企業具備較強的研發、設計、制造能力,在國內競爭中處于領先地位。
總之,功率半導體行業具有廣泛的應用前景和穩定的市場需求,同時也是一個技術壁壘較高的領域。隨著新技術的發展和市場需求的多樣化,功率半導體行業將繼續保持增長態勢,并且將不斷推動技術創新和產業升級。
功率器件各項參數及其應用領域對比:
功率器件中晶體管占比份額最大,常見的晶體管主要有MOSFET和IGBT等。
MOSFET:是金屬氧化物半導體場效應晶體管,是一種廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管,更適用于高頻場景。
IGBT:是絕緣柵雙極晶體管,是同時具備MOSFET的柵電極電壓控制特性和BJT的低導通電阻特性的全控型功率半導體器件,更適用于高壓場景。
碳化硅MOS比IGBT除效率優勢外在相同電壓、電流等級情況下,碳化硅MOS芯片面積比IGBT芯片要小,設計出的功率模塊功率密度更大,更小巧;碳化硅芯片耐更高的溫度,理論上遠超175℃;高頻電源設計能夠縮小系統儲能器件的體積,例如大電感及大容量電容等。
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