扇入型晶圓級封裝（Fan-In Wafer-Level Package，簡稱FIWLP或WLCSP）與扇出型晶圓級封裝（Fan-Out Wafer-Level Package，簡稱FOWLP）在封裝方式、尺寸、電氣特性、成本以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在顯著區(qū)別。以下是兩者的詳細對比：

1. 封裝方式與尺寸

• 扇入型封裝：封裝尺寸與裸片（芯片）尺寸相同，通過重新分布層（RDL）將設(shè)備I/O連接到芯片表面頂部的錫球位置，實現(xiàn)芯片級封裝（CSP）。這種封裝方式適用于I/O數(shù)量相對較少的芯片，因為其空間受限于芯片尺寸。

• 扇出型封裝：封裝后的器件尺寸比裸片大，類似于傳統(tǒng)的BGA封裝。扇出型封裝通過RDL工藝增加芯片可使用的布線區(qū)域，使I/O數(shù)量和密度大幅提升，不再受芯片尺寸的限制。封裝尺寸可以縮小至芯片尺寸的1.2-1.5倍左右，未來還有進一步縮小的潛力。

2. 電氣特性

• 扇入型封裝：錫球直接固定在芯片上，無需基板等媒介，電氣傳輸路徑相對較短，電氣特性得到改善。然而，由于封裝尺寸與芯片尺寸相同，引腳數(shù)量受限。

• 扇出型封裝：信號傳輸路徑更短，寄生效應(yīng)更小，同時利用銅柱和微重布線層，器件的電流傳輸能力和高頻特性都得到大幅提升。此外，扇出型封裝可以容納更多的引腳，支持更復(fù)雜的芯片設(shè)計。

3. 成本與生產(chǎn)效率

• 扇入型封裝：在大批量生產(chǎn)時，由于其制造過程相對簡單，通常比扇出型封裝更經(jīng)濟。然而，如果需要更高的I/O引腳數(shù)量或更復(fù)雜的設(shè)計，扇出型封裝可能是更好的選擇。

• 扇出型封裝：雖然初期投資可能較高，但由于其能夠顯著提高封裝密度和降低成本（如減少物料和人工消耗），長期來看具有較高的經(jīng)濟效益。此外，扇出型封裝工藝成熟度高，自動化程度高，有利于降低制造成本。

4. 應(yīng)用領(lǐng)域

• 扇入型封裝：由于其封裝尺寸小、電氣特性優(yōu)且成本較低，廣泛應(yīng)用于對尺寸和成本要求較高的領(lǐng)域，如智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等。

• 扇出型封裝：隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，扇出型封裝已經(jīng)成為先進封裝技術(shù)的代表之一，廣泛應(yīng)用于高性能領(lǐng)域，如汽車芯片、人工智能機器等。同時，扇出型封裝在無線領(lǐng)域、汽車和醫(yī)療應(yīng)用等方面也展現(xiàn)出巨大的潛力。

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• 先進芯片封裝清洗介紹

• 合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

• 水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

• 污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導(dǎo)致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

• 這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

• 合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

綜上所述，扇入型晶圓級封裝和扇出型晶圓級封裝在封裝方式、尺寸、電氣特性、成本以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面各有優(yōu)勢。選擇哪種封裝方式取決于具體的應(yīng)用需求和設(shè)計要求。