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功率半導體IGBT模塊的12道封裝工藝
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種重要的功率半導體器件,廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、光伏發電等領域。其封裝工藝的優劣直接影響到IGBT模塊的性能、可靠性和使用壽命。以下是根據搜索結果詳細介紹的IGBT模塊的12道封裝工藝:
絲網印刷是將錫膏按設定圖形印刷于散熱底板和DBC銅板表面的過程。這一過程為自動貼片做好前期準備,印刷效果的好壞直接影響到后續貼片的質量。
自動貼片是將IGBT芯片與FRED芯片貼裝于DBC印刷錫膏表面的過程。這個過程需要高精度的貼片機,以確保貼片的良率和效率。貼片機需要具備高速、高頻、高精力控等特點,以滿足IGBT芯片的精密貼裝需求。
真空回流焊接是將完成貼片的DBC半成品置于真空爐內進行回流焊接的過程。高質量的焊接技術是生產高可靠性IGBT模塊的關鍵。真空回流焊接技術可以在焊接過程中排除氣體,減少焊點內部的氣泡和空洞,從而提高焊點的可靠性。
超聲波清洗是通過清洗劑對焊接完成后的DBC半成品進行清洗,以保證IGBT芯片表面潔凈度滿足鍵合打線要求的過程。這一過程可以有效去除焊錫膏和其他污染物,確保后續鍵合工序的順利進行。
X-RAY缺陷檢測是通過X光檢測篩選出空洞大小符合標準的半成品,防止不良品流入下一道工序的過程。這一過程可以有效發現焊點內部的缺陷,如氣泡和空洞,從而確保IGBT模塊的高質量。
鍵合是將IGBT芯片與引線框架通過金屬線連接起來的過程。這一過程通常采用超聲波鍵合技術,通過超聲波振動將金屬線與芯片和引線框架牢固地連接在一起。鍵合質量的好壞直接影響到IGBT模塊的電氣性能和可靠性。
灌膠及固化是將IGBT芯片和引線框架封裝在塑料外殼中,并通過加熱固化的過程。這一過程可以保護IGBT芯片免受外界環境的影響,提高其耐高溫和耐潮濕性能。固化過程需要在特定的溫度和時間內進行,以確保封裝材料的完全固化。
成型是將封裝好的IGBT模塊進行塑封,使其形成最終的形狀和尺寸的過程。這一過程通常采用注塑成型技術,通過模具將封裝材料注入并形成所需的形狀。成型過程需要精確控制模具的溫度和壓力,以確保IGBT模塊的尺寸精度和外觀質量。
測試是對IGBT模塊進行全面電氣性能測試的過程。這一過程包括對IGBT模塊的通態壓降、開關速度、絕緣耐壓等參數進行測試,以確保其符合設計要求和行業標準。測試過程需要使用專業的測試設備和方法,以確保測試結果的準確性和可靠性。
打標是將IGBT模塊的型號、批次號、生產日期等信息打印在模塊表面的過程。這一過程可以為后續的追溯和管理提供方便,確保IGBT模塊在使用過程中的可追溯性和安全性。
老化篩選是將IGBT模塊在高溫、高壓等惡劣條件下進行長時間的老化測試,以篩選出潛在的故障和缺陷的過程。這一過程可以有效提高IGBT模塊的可靠性和使用壽命,確保其在實際應用中的穩定性和安全性。
包裝是將經過老化篩選合格的IGBT模塊進行包裝,準備出廠的過程。這一過程需要確保IGBT模塊在運輸和儲存過程中的安全和完好,通常采用防靜電、防潮的包裝材料和方法。
綜上所述,IGBT模塊的封裝工藝是一個復雜且精密的過程,涉及到多個環節和工序。每一個環節都需要嚴格控制和精確操作,以確保IGBT模塊的高性能、高可靠性和長壽命。通過對IGBT模塊封裝工藝的不斷優化和改進,可以進一步提高其在各種應用領域的競爭力和市場占有率。
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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